[發(fā)明專利]一種空氣橋制作方法及具有該空氣橋的器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910648325.3 | 申請日: | 2019-07-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110491830B | 公開(公告)日: | 2022-08-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳建星;林易展;王淋雨;林偉;鄭伯濤;章劍清;邱文宗;林偉銘;郭一帆 | 申請(專利權(quán))人: | 福建省福聯(lián)集成電路有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/768 | 分類號(hào): | H01L21/768;H01L21/027 |
| 代理公司: | 福州市景弘專利代理事務(wù)所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 徐劍兵;郭鵬飛 |
| 地址: | 351117 福建省莆*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 空氣 制作方法 具有 器件 | ||
1.一種空氣橋制作方法,其特征在于,包括如下步驟:
空氣橋的兩個(gè)橋墩具有高低差,在器件表面覆蓋聚酰亞胺,高溫固化,使用第一光罩干蝕刻聚酰亞胺,露出預(yù)連接的橋墩,所述聚酰亞胺置于所述兩個(gè)橋墩的之間和兩側(cè),所述兩個(gè)橋墩之間的聚酰亞胺的兩側(cè)面靠在所述兩個(gè)橋墩的橋墩內(nèi)表面;
涂布第一光阻,使得第一光阻涂布在所述聚酰亞胺上,高溫固化,利用第一光罩光刻,露出預(yù)連接的橋墩,所述聚酰亞胺中的橋墩寬度與所述第一光阻中的相同位置橋墩的橋墩寬度相同;
涂布第二光阻,使得第二光阻涂布在所述第一光阻上,利用第二光罩光刻出橋面;
沉積金屬到橋墩和橋面,形成橋結(jié)構(gòu),曝光顯影去除第一光阻,而后用顯影液去除第二光阻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種空氣橋制作方法,其特征在于,第一光阻露出預(yù)連接的橋墩后還包括步驟:濺鍍上種金;
而后在曝光顯影去除第一光阻后還包括步驟:蝕刻種金。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種空氣橋制作方法,其特征在于:所述種金為TiW/Au。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種空氣橋制作方法,其特征在于,光刻出橋面后還包括步驟:電鍍Au;
而后在曝光顯影去除第一光阻后還包括步驟:蝕刻Au。
5.根據(jù)權(quán)利要求1到4任意一項(xiàng)所述的一種空氣橋制作方法,其特征在于:所述器件為PIN或HBT器件,一橋墩在PIN結(jié)構(gòu)或者HBT結(jié)構(gòu)上。
6.一種具有空氣橋的器件,其特征在于:所述器件由權(quán)利要求1到5任意一項(xiàng)所述的一種空氣橋制作方法制得。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





