1.一種混合單相大功率逆變拓?fù)洌贗GBT電壓源型逆變器與GTO電流源型逆變器，其特征在于：包括第一絕緣柵雙極晶體管(V₁)、第二絕緣柵雙極晶體管(V₂)、第三絕緣柵雙極晶體管(V₃)、第四絕緣柵雙極晶體管(V₄)、第一門(mén)極可關(guān)斷晶閘管(VT₁)、第二門(mén)極可關(guān)斷晶閘管(VT₂)、第三門(mén)極可關(guān)斷晶閘管(VT₃)、第四門(mén)極可關(guān)斷晶閘管(VT₄)、第一二極管(VD₁)、第二二極管(VD₂)、第三二極管(VD₃)、第四二極管(VD₄)、第一電感(L₁)、第二電感(L₂)、第三電感(L₃)、第四電感(L₄)、第五電感(L₅)、第一電容(C₁)、第二電容(C₂)、第一電流傳感器(CT₁)和第二電流傳感器(CT₂)；直流母線的正極與第一電感(L₁)的一端、第一絕緣柵雙極晶體管(V₁)的集電極、第二絕緣柵雙極晶體管(V₂)的集電極、第一二極管(VD₁)的陰極、第二二極管(VD₂)的陰極連接；直流母線的負(fù)極與第二門(mén)極可關(guān)斷晶閘管(VT₂)的陰極、第四門(mén)極可關(guān)斷晶閘管(VT₄)的陰極、第二絕緣柵雙極晶體管(V₂)的發(fā)射極、第四絕緣柵雙極晶體管(V₄)的發(fā)射極、第二二極管(VD₂)的陽(yáng)極、第四二極管(VD₄)的陽(yáng)極連接；第一電感(L₁)的另一端與第一門(mén)極可關(guān)斷晶閘管(VT₁)的陽(yáng)極、第三門(mén)極可關(guān)斷晶閘管(VT₃)的陽(yáng)極連接；第一門(mén)極可關(guān)斷晶閘管(VT₁)的陰極與第二門(mén)極可關(guān)斷晶閘管(VT₂)的陽(yáng)極、第一電容(C₁)的一端、第二電感(L₂)的一端連接；第三門(mén)極可關(guān)斷晶閘管(VT₃)的陰極與第四門(mén)極可關(guān)斷晶閘管(VT₄)的陽(yáng)極、第二電容(C₂)的一端、第五電感(L₅)的一端連接；第一絕緣柵雙極晶體管(V₁)的發(fā)射極與第二絕緣柵雙極晶體管(V₂)的集電極、第三電感(L₃)的一端相連；第三絕緣柵雙極晶體管(V₃)的發(fā)射極與第四絕緣柵雙極晶體管(V₄)的集電極、第四電感(L₄)的一端連接；電網(wǎng)的一端與第二電感(L₂)的另一端、第三電感(L₃)的另一端連接；電網(wǎng)的另一端與第四電感(L₄)的另一端、第五電感(L₅)的另一端連接；

由IGBT(V₁、V₂、V₃、V₄)及與其反向并聯(lián)的續(xù)流二極管(VD₁、VD₂、VD₃、VD₄)組成的四個(gè)開(kāi)關(guān)管(S₁、S₂、S₃、S₄)構(gòu)成單相全橋電壓源型逆變拓?fù)洌挥傻谝浑姼?L₁)和四個(gè)門(mén)極可關(guān)斷晶閘管(VT₁、VT₂、VT₃、VT₄)構(gòu)成單相全橋電流源型逆變拓?fù)洌贿@種基于IGBT電壓源型逆變器與GTO電流源型逆變器的混合單相大功率逆變拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)由一個(gè)單相全橋電壓源型逆變拓?fù)浜鸵粋€(gè)單相全橋電流源型逆變拓?fù)洳⒙?lián)構(gòu)成；

直流母線側(cè)串聯(lián)較大感值的第一電感(L₁)，使流過(guò)門(mén)極可關(guān)斷晶閘管的電流i1基本無(wú)脈動(dòng)，從而使得基于GTO的逆變支路呈現(xiàn)電流源特性；IGBT(V₁、V₂、V₃、V₄)及與其反向并聯(lián)的續(xù)流二極管(VD₁、VD₂、VD₃、VD₄)組成的四個(gè)開(kāi)關(guān)管(S₁、S₂、S₃、S₄)構(gòu)成單相全橋電壓源型逆變拓?fù)洌ㄟ^(guò)對(duì)電流i₂的閉環(huán)控制，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)并網(wǎng)電流的控制；

所述混合單相大功率逆變拓?fù)涞臐M(mǎn)功率運(yùn)行時(shí)的控制方法，具體按照以下步驟進(jìn)行：

步驟一：第一電流傳感器(CT₁)所測(cè)結(jié)果為流經(jīng)門(mén)極可關(guān)斷晶閘管的電流i₁的實(shí)際值，利用此值對(duì)門(mén)極可關(guān)斷晶閘管GTO電流源型單相全橋逆變支路進(jìn)行控制；采用流經(jīng)門(mén)極可關(guān)斷晶閘管的電流i₁為控制目標(biāo)，流經(jīng)門(mén)極可關(guān)斷晶閘管的電流i₁的參考值由兩部分組成，即sinwt與1/3經(jīng)過(guò)比較器后輸出單位信號(hào)乘以2i_ref/3的結(jié)果與-1/3 與sinwt經(jīng)過(guò)比較器后輸出單位信號(hào)乘以-2i_ref/3的結(jié)果之和，流經(jīng)門(mén)極可關(guān)斷晶閘管的電流i₁的參考值與實(shí)際流經(jīng)門(mén)極可關(guān)斷晶閘管的電流i₁的誤差，經(jīng)過(guò)GGTO控制器和GPGTO控制器后，即得到流經(jīng)門(mén)極可關(guān)斷晶閘管的電流i₁；

步驟二：第二電流傳感器(CT₂)所測(cè)結(jié)果為流經(jīng)絕緣柵雙極晶體管的電流i₂的實(shí)際值，利用此值以及步驟一中的控制目標(biāo)i₁對(duì)絕緣柵雙極晶體管IGBT電壓源型單相全橋逆變支路進(jìn)行控制；采用流經(jīng)絕緣柵雙極晶體管的電流i₂為控制目標(biāo)，并網(wǎng)電流參考幅值i_ref與sinwt相乘后得到并網(wǎng)電流參考值i_refsinwt，i_refsinwt與流經(jīng)門(mén)極可關(guān)斷晶閘管的電流i₁作差，得到流經(jīng)絕緣柵雙極晶體管的電流i₂的參考值，計(jì)算方法見(jiàn)公式(1)所示；

i_{2_ref}＝i_refsinwt-i₁ (1)

該值與實(shí)際流經(jīng)絕緣柵雙極晶體管的電流i₂的誤差，經(jīng)過(guò)G_IGBT控制器后，控制G_PIGBT后即得到電流i₂。