[發明專利]閃存控制器以及用來存取閃存模塊的方法有效
| 申請號: | 201910647337.4 | 申請日: | 2019-07-17 |
| 公開(公告)號: | CN110739018B | 公開(公告)日: | 2022-03-25 |
| 發明(設計)人: | 楊宗杰 | 申請(專利權)人: | 慧榮科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/08 | 分類號: | G11C16/08;G11C16/26;G11C16/04 |
| 代理公司: | 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀純 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 閃存 控制器 以及 用來 存取 模塊 方法 | ||
1.一種閃存控制器,其中所述閃存控制器耦接至一閃存模塊,所述閃存模塊包括至少一閃存芯片,每一閃存芯片包括多個區塊,每一區塊包括多個頁面,所述閃存控制器的特征在于,包括:
一存儲器,用來存儲一程序代碼;以及
一微處理器,用來執行所述程序代碼以通過一控制邏輯電路來存取所述閃存模塊;
其中在所述微處理器發送一讀取指令至所述閃存模塊以請求至少一記憶單元上的數據以后,所述控制邏輯電路自所述閃存模塊接收所述至少一記憶單元的多個記憶細胞的多位信息,以及所述控制邏輯電路分析所述多個記憶細胞的所述多位信息以取得所述多個記憶細胞的一臨界電壓分布的多個谷值高度以供決定所述控制邏輯電路中的一解碼器采用一第一解碼方法或是一第二解碼方法來進行解碼。
2.如權利要求1所述的閃存控制器,其特征在于,所述控制邏輯電路判斷所述臨界電壓分布的所述多個谷值高度的任一者是否大于一臨界值以產生一判斷結果;若所述判斷結果指出所述臨界電壓分布中沒有任何谷值高度大于所述臨界值,所述解碼器使用所述第一解碼方法來解碼自所述閃存模塊接收的數據;以及若所述判斷結果指出所述臨界電壓分布的所述多個谷值高度的任一者大于所述臨界值,所述解碼器使用所述第二解碼方法來解碼自所述閃存模塊接收的所述數據。
3.如權利要求2所述的閃存控制器,其特征在于,所述第一解碼方法是一硬解碼方法,以及所述第二解碼方法是一軟解碼方法。
4.如權利要求3所述的閃存控制器,其特征在于,當所述解碼器使用所述第二解碼方法來解碼自所述閃存模塊接收的所述數據時,所述控制邏輯電路依據所述臨界電壓分布來更新所述解碼器使用的多個對數似然比值或一對數似然比表。
5.如權利要求1所述的閃存控制器,其特征在于,所述至少一記憶單元的每一記憶細胞是用來存儲多個位,每一記憶細胞具有多個狀態,所述多個狀態是用來指出所述多個位的不同組合,每一狀態是區分為多個子狀態,以及每一記憶細胞的所述多位信息是用來指出所述記憶細胞具有哪一個子狀態。
6.如權利要求1所述的閃存控制器,其特征在于,所述控制邏輯電路依據所述臨界電壓分布來更新所述控制邏輯 電路中的一解碼器使用的多個對數似然比值及/或一對數似然比表。
7.如權利要求6所述的閃存控制器,其特征在于,所述多個對數似然比值及/或所述對數似然比表是在所述解碼器解碼自所述至少一記憶單元的所述多個記憶細胞的所述多位信息取得的數據時被更新。
8.一種用來存取一閃存模塊的方法,其中所述閃存模塊包括至少一閃存芯片,每一閃存芯片包括多個區塊,每一區塊包括多個頁面,所述方法的特征在于,包括:
發送一讀取指令至所述閃存模塊以請求至少一記憶單元上的數據;
自所述閃存模塊接收所述至少一記憶單元的多個記憶細胞的多位信息;以及
分析所述多個記憶細胞的所述多位信息以取得所述多個記憶細胞的一臨界電壓分布的多個谷值高度以供決定一解碼器采用一第一解碼方法或是一第二解碼方法來進行解碼。
9.如權利要求8所述的方法,其特征在于,依據所述臨界電壓分布的所述多個谷值高度來決定所述解碼器采用的所述解碼方法的步驟包括:
判斷所述臨界電壓分布的所述多個谷值高度的任一者是否大于一臨界值以產生一判斷結果;
若所述判斷結果指出所述臨界電壓分布中沒有任何谷值高度大于所述臨界值,使用所述第一解碼方法來解碼自所述閃存模塊接收的數據;以及
若所述判斷結果指出所述臨界電壓分布的所述多個谷值高度的任一者大于所述臨界值,使用所述第二解碼方法來解碼自所述閃存模塊接收的所述數據。
10.如權利要求9所述的方法,其特征在于,所述第一解碼方法是一硬解碼方法,以及所述第二解碼方法是一軟解碼方法。
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