[發明專利]成膜方法和半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201910644005.0
• 申請日: 2019-07-17
• 公開（公告）號: CN110724935A
• 公開（公告）日: 2020-01-24
• 發明（設計）人: 永岡達司;西中浩之;吉本昌廣
• 申請（專利權）人: 豐田自動車株式會社;國立大學法人京都工藝纖維大學
• 主分類號: C23C16/448
• 分類號: C23C16/448;C23C16/40;C30B25/14;C30B25/20;C30B29/16
• 代理公司: 11038 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 陳冠欽

1.成膜方法，其是在基體上形成摻雜有鍺并具有導體或半導體的特性的氧化物膜的成膜方法，其具有如下工序：

一邊加熱上述基體，一邊向上述基體的表面供給溶解有包含上述氧化物膜的構成元素的氧化物膜材料和有機鍺化合物的溶液的霧。

2.權利要求1所述的成膜方法，其中，向上述基體的上述表面供給溶解有上述氧化物膜材料和上述有機鍺化合物的溶液的霧的上述工序具有：

從溶解有上述氧化物膜材料和上述有機鍺化合物這兩者的溶液生成霧的工序，和

向上述基體的上述表面供給溶解有上述氧化物膜材料和上述有機鍺化合物這兩者的上述溶液的上述霧的工序。

3.權利要求1所述的成膜方法，其中，向上述基體的上述表面供給溶解有上述氧化物膜材料和上述有機鍺化合物的溶液的霧的上述工序具有：

從溶解有上述氧化物膜材料的溶液生成霧的工序，

從溶解有上述有機鍺化合物的溶液生成霧的工序，和

向上述基體的上述表面供給溶解有上述氧化物膜材料的上述溶液的上述霧和溶解有上述有機鍺化合物的上述溶液的上述霧的工序。

4.權利要求1～3的任一項所述的成膜方法，其中，上述氧化物膜為單晶膜。

5.權利要求1～4的任一項所述的成膜方法，其中，上述有機鍺化合物為金屬絡合物。

6.權利要求1～5的任一項所述的成膜方法，其中，上述有機鍺化合物為β-羧基乙基鍺倍半氧化物。

7.權利要求1～6的任一項所述的成膜方法，其中，上述氧化物膜由氧化銦、氧化鋁、氧化鎵或將它們組合而成的氧化物構成，

上述氧化物膜材料包含銦化合物、鋁化合物和鎵化合物中的至少一種。

8.權利要求1～6的任一項所述的成膜方法，其中，上述氧化物膜由氧化鋅構成，

上述氧化物膜材料包含鋅化合物。

9.權利要求1～6的任一項所述的成膜方法，其中，上述氧化物膜由氧化鎵或包含氧化鎵的氧化物構成，

上述氧化物膜材料為鎵化合物。

10.權利要求9所述的成膜方法，其中，上述鎵化合物為有機物。

11.權利要求9或10所述的成膜方法，其中，上述鎵化合物為金屬絡合物。

12.權利要求9～11的任一項所述的成膜方法，其中，上述鎵化合物為乙酰丙酮鎵。

13.權利要求9所述的成膜方法，其中，上述鎵化合物為鹵化物。

14.權利要求9或13所述的成膜方法，其中，上述鎵化合物為氯化鎵。

15.權利要求1～14的任一項所述的成膜方法，其中，溶解有上述氧化物膜材料和上述有機鍺化合物的上述溶液的上述霧中包含的鍺原子的數量為溶解有上述氧化物膜材料和上述有機鍺化合物的上述溶液的上述霧中包含的銦原子、鋁原子和鎵原子的總數的10倍以下。

16.權利要求1～15的任一項所述的成膜方法，其中，上述基體由氧化鎵構成。

17.權利要求16所述的成膜方法，其中，上述基體由β-Ga₂O₃構成。

18.權利要求16所述的成膜方法，其中，上述基體由α-Ga₂O₃構成。