[發(fā)明專利]無模板二次合成高度b軸取向的全硅MFI分子篩膜制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910642992.0
• 申請日: 2019-07-16
• 公開（公告）號: CN110372001B
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳勤明;孟祥舉;肖豐收;韓世超
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江大學
• 主分類號: C01B39/04
• 分類號: C01B39/04;C01B37/02
• 代理公司: 杭州中成專利事務(wù)所有限公司 33212
• 代理人: 周世駿

1.一種無模板二次合成高度b軸取向的全硅MFI分子篩膜制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）涂晶

將晶種按同一方向涂到硅片表面，得到b軸取向的晶種層；然后平放在反應(yīng)釜中；涂晶時佩戴潔凈的橡膠手套，以手指將晶種按同一方向涂到硅片表面；

（2）晶化

取鈉源和硅源混合于研缽中，控制各原料的添加量使其摩爾比為SiO₂∶Na₂O∶C₂H₆O = 1∶0.0168～0.04∶0.95～1.9；研磨10分鐘后取出粉末狀混合物，覆蓋在涂抹了晶種的硅片上；向粉末中滴加適量乙醇溶液后封裝反應(yīng)釜，并在180℃晶化反應(yīng)2～3天；晶化反應(yīng)結(jié)束后，用去離子水浸泡洗滌，并在60℃干燥12小時以上，即得到高度b軸取向的全硅MFI分子篩膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟（2）中，乙醇溶液是市售商品，其中乙醇質(zhì)量分數(shù)為95-75 wt.%。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述鈉源為九水硅酸鈉；硅源為細硅膠。