[發(fā)明專(zhuān)利]碳納米管場(chǎng)發(fā)射體及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910642109.8
• 申請(qǐng)日: 2019-07-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112242280B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-03-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柳鵬;周段亮;張春海;潛力;王昱權(quán);郭雪偉;馬麗永;王福軍;范守善
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01J9/02
• 分類(lèi)號(hào): H01J9/02;H01J1/304
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種碳納米管場(chǎng)發(fā)射體的制備方法，包括：

S1，提供一碳納米管陣列；

S2，熱處理所述碳納米管陣列形成石墨化的碳納米管陣列；

S3，提供一陰極基底，在該陰極基底的表面形成導(dǎo)電粘結(jié)劑層；

S4，將所述石墨化的碳納米管陣列的一端與所述導(dǎo)電粘結(jié)劑層接觸，并固化所述導(dǎo)電粘結(jié)劑層，使該石墨化的碳納米管陣列固定在所述陰極基底上；

S5，采用電腦程序控制的激光器控制激光束的照射路徑，沿著預(yù)定的切割路徑切割所述石墨化的碳納米管陣列與所述粘結(jié)劑層接觸端部的相對(duì)端部形成多個(gè)突起，所述多個(gè)突起為多個(gè)電子發(fā)射端,所述切割路徑包括多個(gè)鋸齒形、多個(gè)橢圓形或多個(gè)半圓形。

2.如權(quán)利要求1所述的碳納米管場(chǎng)發(fā)射體的制備方法，其特征在于，在步驟S2中，將所述碳納米管陣列放入石墨坩堝中，置于石墨化爐中；通入惰性氣體，熱處理溫度為2000-3000℃，保溫時(shí)間為10-300min，降溫至室溫形成石墨化的碳納米管陣列。

3.如權(quán)利要求1所述的碳納米管場(chǎng)發(fā)射體的制備方法，其特征在于，在步驟S4中，所述導(dǎo)電粘結(jié)劑層通過(guò)表面涂敷或絲網(wǎng)印刷方法形成在所述陰極基底的表面。

4.如權(quán)利要求1所述的碳納米管場(chǎng)發(fā)射體的制備方法，其特征在于，在步驟4中，固化所述導(dǎo)電粘結(jié)劑層的方法為：在400～550攝氏度溫度條件下對(duì)所述導(dǎo)電粘結(jié)劑層進(jìn)行燒結(jié)。

5.如權(quán)利要求1所述的碳納米管場(chǎng)發(fā)射體的制備方法，其特征在于，在用激光切割所述石墨化的碳納米管陣列所述粘結(jié)劑層接觸端部的相對(duì)端部后，進(jìn)一步包括采用超聲清洗碳納米管場(chǎng)發(fā)射體的步驟。

6.一種如權(quán)利要求1所述的碳納米管場(chǎng)發(fā)射體的制備方法制備的碳納米管場(chǎng)發(fā)射體，其特征在于，所述碳納米管場(chǎng)發(fā)射體包括一陰極基底、一導(dǎo)電粘結(jié)劑層及一石墨化的碳納米管陣列，所述導(dǎo)電粘結(jié)劑層設(shè)置在所述陰極基底的一表面，所述石墨化的碳納米管陣列具有相對(duì)的第一端部和第二端部，所述石墨化的碳納米管陣列的第一端部通過(guò)所述導(dǎo)電粘結(jié)劑層固定在所述陰極基底上并與該陰極基底形成電連接，所述石墨化的碳納米管陣列的第二端部為電子發(fā)射端，所述石墨化的碳納米管陣列的第二端部包括多個(gè)突起，所述多個(gè)突起為所述碳納米管發(fā)射體的電子發(fā)射端。

7.如權(quán)利要求6所述的碳納米管場(chǎng)發(fā)射體，其特征在于，所述導(dǎo)電粘結(jié)劑層的粘度范圍為50～200毫帕斯卡.秒。

8.如權(quán)利要求6所述的碳納米場(chǎng)管發(fā)射體，其特征在于，所述石墨化的碳納米管陣列的第一端部穿過(guò)所述導(dǎo)電粘結(jié)劑層與所述陰極基底直接接觸設(shè)置。