[發(fā)明專利]顯示面板及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910637049.0 | 申請日: | 2019-07-15 |
| 公開(公告)號: | CN110429111B | 公開(公告)日: | 2022-07-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張義波;陳營營;孫晨;莫丹;賈松霖;劉操 | 申請(專利權(quán))人: | 昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司;昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 廣東君龍律師事務(wù)所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本申請?zhí)峁┝艘环N顯示面板和顯示裝置,其中,顯示面板包括:平坦化層;像素定義層,形成在平坦化層上,定義有多個像素區(qū);陽極層及有機(jī)層,依次形成在平坦化層上,且位于像素區(qū);陰極層,形成在像素定義層和有機(jī)層上;其中,像素定義層和陰極層接觸的表面形成有多個凹槽,多個凹槽間隔設(shè)置,陰極層與像素定義層共形設(shè)置。因而陰極層也具有凹槽結(jié)構(gòu),對于入社的環(huán)境光其到一定的減反射作用,繼而減少眩光,提高顯示對比度。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種顯示面板及顯示裝置。
背景技術(shù)
目前外界光線照射在OLED器件的金屬電極上時,會產(chǎn)生明顯的反射現(xiàn)象,造成人眼視覺上的眩光、色彩飽和度降低,顯示對比度降低等問題,而現(xiàn)有OLED器件中為了減少環(huán)境光對器件顯示造成的影響,通常在OLED器件外層貼附偏光片以減少眩光,提高顯示對比度。
傳統(tǒng)的偏光片反射率高,當(dāng)采用涂布方式在屏體上直接制作偏光片的時候,仍存在屏體的反射率高,無法完全滿足使用需求問題。
發(fā)明內(nèi)容
本申請?zhí)峁┮环N顯示面板及顯示裝置,以解決現(xiàn)有技術(shù)中顯示面板的反射光所造成的顯示對比度較低的問題。
為解決上述技術(shù)問題,本申請?zhí)峁┮环N顯示面板,所述顯示面板包括:平坦化層;像素定義層,形成在所述平坦化層上,定義有多個像素區(qū);陽極層及有機(jī)層,依次形成在所述平坦化層上,位于所述像素區(qū);陰極層,形成在所述像素定義層和所述有機(jī)層上;其中,所述像素定義層與所述陰極層接觸的表面形成有多個凹槽,所述多個凹槽間隔設(shè)置,所述陰極層與所述像素定義層共形設(shè)置。
其中,所述凹槽具有彎曲的內(nèi)表面;優(yōu)選地,所述凹槽為半球形凹槽,所述半球形凹槽的直徑小于等于5微米。
其中,所述像素定義層的折射率低于所述平坦化層的折射率。
其中,所述陰極層和所述有機(jī)層之間形成有納米顆粒。
其中,所述像素定義層不透光,所述陽極層包括圖形化導(dǎo)電層和覆蓋所述圖形化導(dǎo)電層的平坦導(dǎo)電層。
其中,所述圖形化導(dǎo)電層為光柵結(jié)構(gòu),包括多個光柵單元,不同發(fā)光顏色的像素區(qū),光柵單元的寬度不同。
其中,所述像素定義層不透光,所述陽極層在每一所述像素區(qū)為等腰三角形,所述等腰三角形的底角為β;所述等腰三角形頂點與對應(yīng)的所述像素區(qū)的頂端邊緣的連接面與所述像素定義區(qū)的夾角為α;所述α等于所述β。
其中,所述顯示面板包括偏光片,形成在陰極層上;所述偏光片遠(yuǎn)離所述陰極層的表面為非平滑結(jié)構(gòu)。
為解決上述技術(shù)問題,本申請?zhí)峁┮环N顯示裝置,顯示裝置包括上述顯示面板。
本申請顯示面板包括平坦化層、形成在平坦化層上的像素定義層、陽極層和有機(jī)層,陽極層和有機(jī)層位于像素定義層所定義的多個像素區(qū)中。陰極層則覆蓋有機(jī)層和像素定義層設(shè)置。本申請中像素定義層與陰極層接觸的表面形成有多個凹槽,多個凹槽間隔設(shè)置,陰極層與像素定義層共形設(shè)置。即陰極層也形成有凹槽結(jié)構(gòu),凹槽結(jié)構(gòu)對于照射到陰極層上的環(huán)境光能夠起到減少反射,減少眩光,提高顯示對比度的作用。
附圖說明
為了更清楚地說明本申請實施例中的技術(shù)方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例,對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是本申請顯示面板第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是圖1所示顯示面板第一實施例中光線照射到陰極的走向圖;
圖3是本申請顯示面板第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4是本申請顯示面板第三實施例中陽極層的結(jié)構(gòu)示意圖;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司;昆山國顯光電有限公司,未經(jīng)昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司;昆山國顯光電有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





