[發(fā)明專利]一種鐵電晶體矯頑場的非接觸式光學(xué)測量裝置和方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910636469.7 | 申請日： | 2019-07-15 |
| 公開（公告）號： | CN110308337A | 公開（公告）日： | 2019-10-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 孫恩偉;鄭華山;李凱;楊逸逍;李嘉明;楊彬;張銳;曹文武 | 申請（專利權(quán)）人： | 哈爾濱工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號： | G01R29/08 | 分類號： | G01R29/08 |
| 代理公司： | 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所 23109 | 代理人： | 畢雅鳳 |
| 地址： | 150001 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 鐵電晶體 數(shù)字示波器 矯頑場 通光孔 透射光 非接觸式光學(xué)測量裝置 光電探測器 交流電壓源 輸出端連接 電場 輸入端 施加 入射 光學(xué)檢測技術(shù) 材料性質(zhì) 測量鐵電 電學(xué)測量 交流電壓 接觸狀態(tài) 空間電荷 連續(xù)激光 輸出電壓 激光器 電荷 輸出 光敏面 計(jì)算機(jī) 晶體的 控溫箱 透射 控溫 存儲 | ||
1.一種鐵電晶體矯頑場的非接觸式光學(xué)測量裝置，其特征在于，包括交流電壓源(1)、控溫箱(2)、激光器(3)、光電探測器(4)、數(shù)字示波器(5)和計(jì)算機(jī)(6)；
控溫箱(2)設(shè)有2個(gè)通光孔(2-1)，鐵電晶體(7)位于控溫箱(2)內(nèi)，激光器(3)輸出的連續(xù)激光通過一個(gè)通光孔(2-1)入射至鐵電晶體(7)，鐵電晶體(7)透射的光通過另一個(gè)通光孔(2-1)入射至光電探測器(4)的光敏面，光電探測器(4)的輸出端連接數(shù)字示波器(5)的輸入端，數(shù)字示波器(5)的透射光強(qiáng)度輸出端連接計(jì)算機(jī)(6)的透射光強(qiáng)度輸入端；
交流電壓源(1)用于為鐵電晶體(7)施加交流電壓；
計(jì)算機(jī)(6)用于控制交流電壓源(1)輸出電壓的頻率和幅值，還用于計(jì)算施加的電場，并存儲施加的電場及數(shù)字示波器(5)輸出的透射光強(qiáng)度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鐵電晶體矯頑場的非接觸式光學(xué)測量裝置，其特征在于，所述鐵電晶體(7)的尺寸大于2mm×2mm×0.5mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鐵電晶體矯頑場的非接觸式光學(xué)測量裝置，其特征在于，還包括反射鏡(8)；
激光器(3)輸出的連續(xù)激光經(jīng)反射鏡(8)反射至鐵電晶體(7)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鐵電晶體矯頑場的非接觸式光學(xué)測量裝置，其特征在于，還包括衰減片(9)；
激光器(3)輸出的連續(xù)激光經(jīng)衰減片(9)功率衰減后入射至鐵電晶體(7)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鐵電晶體矯頑場的非接觸式光學(xué)測量裝置，其特征在于，還包括第一凸透鏡(10)；
第一凸透鏡(10)使連續(xù)激光聚焦在鐵電晶體(7)內(nèi)部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鐵電晶體矯頑場的非接觸式光學(xué)測量裝置，其特征在于，還包括第二凸透鏡(11)；
第二凸透鏡(11)將鐵電晶體(7)透射的光聚焦在光電探測器(4)的光敏面。
7.一種鐵電晶體矯頑場的非接觸式光學(xué)測量方法，其特征在于，該方法包括：
步驟一、交流電壓源(1)為鐵電晶體(7)施加交流電壓，激光器(3)輸出的連續(xù)激光入射至鐵電晶體(7)，計(jì)算機(jī)(6)存儲施加的電場及數(shù)字示波器(5)輸出的透射光強(qiáng)度；
步驟二、以施加的電場為橫坐標(biāo)、歸一化的透射光強(qiáng)度為縱坐標(biāo)，將縱坐標(biāo)數(shù)據(jù)對橫縱坐標(biāo)數(shù)據(jù)求一階導(dǎo)數(shù)并取絕對值，絕對值最大值對應(yīng)的電場即為鐵電晶體(7)的矯頑場；
該方法基于上述任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的一種鐵電晶體矯頑場的非接觸式光學(xué)測量裝置實(shí)現(xiàn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種鐵電晶體矯頑場的非接觸式光學(xué)測量方法，其特征在于，該方法還包括：在步驟一之前對待測鐵電晶體進(jìn)行晶體學(xué)定向，然后按晶體學(xué)方向進(jìn)行切割，再依次進(jìn)行被電極和拋光處理，得到滿足要求的鐵電晶體(7)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于哈爾濱工業(yè)大學(xué)，未經(jīng)哈爾濱工業(yè)大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910636469.7/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
