[發(fā)明專(zhuān)利]一種叉指型背接觸太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910635917.1
• 申請(qǐng)日: 2019-07-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111613688A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高嘉慶;宋志成;郭永剛;屈小勇;吳翔;馬繼奎;張博
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 國(guó)家電投集團(tuán)西安太陽(yáng)能電力有限公司;國(guó)家電投集團(tuán)西安太陽(yáng)能電力有限公司西寧分公司;青海黃河上游水電開(kāi)發(fā)有限責(zé)任公司;國(guó)家電投集團(tuán)黃河上游水電開(kāi)發(fā)有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/068
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/068;H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 上海精晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31253
• 代理人: 穆旭

1.一種叉指型背接觸太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括N型單晶硅片為基體，所述單晶硅片前表面設(shè)置有硼摻雜層，所述單晶硅片前表面硼摻雜層上設(shè)置有AL2O3鈍化層，在所述單晶硅片前表面AL2O3鈍化層上設(shè)置有SiNx減反射層；所述單晶硅片背表面場(chǎng)為磷摻雜層，所述單晶硅片背面發(fā)射極為硼摻雜層，所述單晶硅片背表面設(shè)置有SiO2鈍化層，所述單晶硅片背面發(fā)射極表面設(shè)置有AL2O3鈍化層，所述單晶硅片背面場(chǎng)表面設(shè)置有SiNx鈍化層，所述單晶硅片背面發(fā)射極連接有負(fù)電級(jí)，所述單晶硅片背面場(chǎng)連接有正電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種叉指型背接觸太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述N型單晶硅片基體的電阻率為1-10Ω·cm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種叉指型背接觸太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述單晶硅片前表面硼摻雜層的方阻為80-160Ω·cm，結(jié)深為0.1-0.5μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種叉指型背接觸太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述單晶硅片前表面AL2O3鈍化層膜厚為1-10nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種叉指型背接觸太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述單晶硅片前表面SiNx減反射層膜厚為40-80nm，折射率為1.8-2.5。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種叉指型背接觸太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述單晶硅片背表面場(chǎng)磷摻雜層的方阻為80-160Ω·cm，結(jié)深為0.1-0.5μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種叉指型背接觸太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述單晶硅片背表面SiO2鈍化層厚度為1-5nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種叉指型背接觸太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述單晶硅片背面發(fā)射極表面AL2O3鈍化層膜厚為1-10nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種叉指型背接觸太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述單晶硅片背面場(chǎng)表面SiNx鈍化層膜厚為40-80nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種叉指型背接觸太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述負(fù)電級(jí)寬度為300-1600μm。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種叉指型背接觸太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述正電極寬度為100-700μm。

12.一種叉指型背接觸太陽(yáng)電池的制造方法，其特征在于，

S1、選擇N型單晶硅片作為基體，并進(jìn)行雙面制絨處理；

S2、對(duì)N型單晶硅片進(jìn)行雙面硼擴(kuò)散；

S3、在N型單晶硅片雙面沉積AL2O3薄膜；

S4、對(duì)N型單晶硅片背表面N型BSF區(qū)域進(jìn)行開(kāi)槽；

S5、對(duì)N型單晶硅片進(jìn)行單面磷擴(kuò)散形成N型單晶硅片背表面場(chǎng)；

S6、在N型單晶硅片正反面沉積氮化硅膜；

S7、對(duì)硅片進(jìn)行絲網(wǎng)印刷銀漿和鋁漿形成正負(fù)電極；

S8、進(jìn)行燒結(jié)，最終得到IBC電池。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的一種叉指型背接觸太陽(yáng)電池的制造方法，其特征在于，S1步驟中所述N型單晶硅片基體的厚度為140-180μm，電阻率為1-10Ω·cm。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的一種叉指型背接觸太陽(yáng)電池的制造方法，其特征在于，S2步驟中使用低壓高溫?cái)U(kuò)散爐對(duì)所述N型單晶硅片進(jìn)行雙面硼擴(kuò)散，擴(kuò)散溫度為800-1100℃，擴(kuò)散時(shí)間為10-50分鐘，擴(kuò)散后P+摻雜層的方塊電阻為80-160Ω·cm，結(jié)深為0.1-0.5μm。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的一種叉指型背接觸太陽(yáng)電池的制造方法，其特征在于，S3步驟中使用ALD設(shè)備在所述N型單晶硅片雙面沉積AL2O3薄膜，薄膜厚度為1-10nm。