[發明專利]集成電路器件

在審

• 申請號: 201910634952.1
• 申請日: 2019-07-15
• 公開（公告）號: CN110880503A
• 公開（公告）日: 2020-03-13
• 發明（設計）人: 申洪湜;樸興植;李道行;李仁根;蔡承澔;崔夏榮
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L27/092
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜

提供了一種集成電路器件，所述集成電路器件包括：在襯底上沿第一方向延伸的鰭型有源區；與鰭型有源區交叉并且在襯底上沿垂直于第一方向的第二方向延伸的柵極結構；以及設置在柵極結構上的第一接觸結構，第一接觸結構的頂表面的寬度大于第一接觸結構的底表面的寬度。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2018年9月5日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2018-0106107的優先權，其公開內容通過引用整體并入本文。

技術領域

本發明構思涉及集成電路器件，更具體地，涉及包括鰭型有源區的集成電路器件。

背景技術

隨著電子產品趨于輕、薄、短和小，對集成電路器件高度集成的需求正在增加。隨著集成電路器件的尺寸縮小，出現了晶體管的短溝道效應，因此，集成電路器件的可靠性劣化。為了減小短溝道效應，提出了包括鰭型有源區的集成電路器件。然而，隨著設計規則的減小，鰭型有源區、柵極線和源極/漏極區的尺寸也減小。

發明內容

本發明構思提供了一種具有減小的尺寸和高的電氣性能的集成電路器件。

根據本發明構思的一個方面，提供了一種集成電路器件，所述集成電路器件可以包括：鰭型有源區，所述鰭型有源區在襯底上沿第一方向延伸；柵極結構，所述柵極結構與所述鰭型有源區交叉并且在所述襯底上沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸；以及第一接觸結構，所述第一接觸結構設置在所述柵極結構上，并且所述第一接觸結構的頂表面的寬度大于所述第一接觸結構的底表面的寬度。

根據本發明構思的一個方面，提供了一種集成電路器件，所述集成電路器件可以包括：多個鰭型有源區，所述多個鰭型有源區從襯底的頂表面突出并在所述襯底上沿第一方向延伸；多個柵極結構，所述多個柵極結構與所述多個鰭型有源區交叉并且在所述襯底上沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸；多個源極/漏極區，所述多個源極/漏極區在所述多個柵極結構的兩側設置在所述鰭型有源區中；第一接觸結構，所述第一接觸結構設置在所述多個柵極結構中的第一柵極結構上，并且所述第一接觸結構的頂表面的寬度大于所述第一接觸結構的底表面的寬度；以及包圍所述第一接觸結構的側壁的至少一部分的絕緣襯墊。

根據本發明構思的一個方面，提供了一種集成電路器件，所述集成電路器件可以包括：鰭型有源區，所述鰭型有源區從襯底的頂表面突出并在所述襯底上沿第一方向延伸；柵極結構，所述柵極結構與所述鰭型有源區交叉并且在所述襯底上沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸；設置在所述柵極結構上的層間絕緣層；接觸結構，所述接觸結構設置在接觸孔中，穿過所述層間絕緣層，電連接到所述柵極結構，并且所述接觸結構的頂表面的寬度大于所述接觸結構的底表面的寬度；包圍所述接觸結構的側壁的至少一部分的絕緣襯墊。

附圖說明

通過以下結合附圖的詳細描述，將更清楚地理解本發明構思的示例性實施例，其中：

圖1是示出了根據示例性實施例的集成電路器件的布局圖；

圖2是沿圖1中的X1-X1'線和X2-X2'線截取的截面圖；

圖3是沿圖1中的Y1-Y1'線截取的截面圖；

圖4是圖2中的CX1區域的放大圖；

圖5是示出根據示例性實施例的集成電路器件的截面圖；

圖6是示出根據示例性實施例的集成電路器件的等效電路圖；

圖7是根據示例性實施例的集成電路器件的布局圖；

圖8是沿圖7中的X3-X3'線和X4-X4'線截取的截面圖；以及

圖9至圖20是示出了根據示例性實施例的制造集成電路器件的方法的截面圖。

具體實施方式