[發明專利]一種摻釩雙層氧化鎳電致變色薄膜的制備方法

在審

• 申請號: 201910633805.2
• 申請日: 2019-07-15
• 公開（公告）號: CN110171931A
• 公開（公告）日: 2019-08-27
• 發明（設計）人: 姜龍;陳殿元;于曉明;于海燕;孫艷梅;李劍明;南楠
• 申請（專利權）人: 吉林農業科技學院
• 主分類號: C03C17/245
• 分類號: C03C17/245;G02F1/15;G02F1/1524
• 代理公司: 北京匯捷知識產權代理事務所(普通合伙) 11531
• 代理人: 李宏偉

1.一種摻釩雙層氧化鎳電致變色薄膜的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

（1）將覆蓋有ITO的玻璃基片分別于三氯乙烯、丙酮、乙醇中超聲清洗5-10min，除去表面覆蓋的灰塵及油脂，之后使用去離子水對基片進行清洗，除去上面殘留的乙醇，最后使用氮氣吹干，得到潔凈的ITO基片；

（2）采用射頻反應共濺射方法制備晶態氧化鎳薄膜，使用的靶材為純度為99.99%的金屬鎳；使用上步得到的潔凈的ITO基片作為襯底；首先對真空室進行抽真空，當腔室內的壓強達到4×10^-4Pa以下時打開加熱器對襯底進行加熱，當溫度達到設定溫度時開始對腔室內充氣；設定溫度為100℃～450℃，所充入氣體為O₂與Ar的混合氣，O₂在混合氣體中的比例為1%～90%，生長過程中保持腔室內的壓強恒定，壓強為0.1Pa～5Pa；鎳靶濺射功率為10W~200W，濺射生長時間為1min～100min；

（3）采用射頻反應共濺射方法制備摻釩NiO薄膜，使用的靶材為純度為99.99%的金屬鎳與純度為99.9%的金屬釩；使用上步得到的NiO/ITO作為襯底；接下來對真空室抽真空，當腔室內的壓強達到4×10^-4Pa以下時打開加熱器對襯底進行加熱，當溫度達到設定溫度時開始對腔室內充氣；設定溫度為100℃～450℃，所充入氣體為O₂與Ar的混合氣，O₂在混合氣體中的比例為1%～90%，生長過程中保持腔室內的壓強恒定，壓強為0.1Pa～5Pa；鎳靶濺射功率為10W~200W，釩靶濺射功率為10W~200W；生長時間為1min～100min。