[發(fā)明專利]一種光刻設(shè)備的對準(zhǔn)方法及裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910633613.1 | 申請日: | 2019-07-15 |
| 公開(公告)號: | CN112230521A | 公開(公告)日: | 2021-01-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 徐占輝;張曉輝;劉景華;霍榮標(biāo);江彪;區(qū)俊杰;尹建剛;高云峰 | 申請(專利權(quán))人: | 大族激光科技產(chǎn)業(yè)集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F9/00 | 分類號: | G03F9/00;G03F7/20 |
| 代理公司: | 深圳市世聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44385 | 代理人: | 王鍇 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 光刻 設(shè)備 對準(zhǔn) 方法 裝置 | ||
1.一種光刻設(shè)備的對準(zhǔn)方法,其特征在于,步驟如下:
令紫外光束由上至下依次穿過掩模板的對位孔、投影鏡頭和晶圓載臺的校準(zhǔn)孔;
使校準(zhǔn)孔與對位孔中心對正,計算光刻設(shè)備在晶圓載臺上的實際曝光區(qū)域的位置,將所述位置記為曝光零位;
移動晶圓載臺并記錄晶圓載臺第一移動量,使得校準(zhǔn)孔與旁軸CCD同軸對準(zhǔn)后,通過晶圓載臺第一移動量標(biāo)定旁軸CCD與實際曝光區(qū)域的位置;
移動晶圓載臺并記錄晶圓載臺第二移動量,直至旁軸CCD能夠識別晶圓上的標(biāo)記,通過旁軸CCD與實際曝光區(qū)域的位置和晶圓載臺第二移動量計算得到晶圓位于晶圓載臺上的相對位置;
根據(jù)所述相對位置,將晶圓上的曝光區(qū)域移動到曝光零位。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光刻設(shè)備的對準(zhǔn)方法,其特征在于,使校準(zhǔn)孔與對位孔中心對正的方法為:
通過投影鏡頭將對位孔成像至晶圓載臺;
調(diào)節(jié)晶圓載臺的位置,改變對位孔的成像與校準(zhǔn)孔的重疊區(qū)域,并檢測通過所述重疊區(qū)域的紫外光束的光強;
當(dāng)所述光強達(dá)到最大值時,則判斷校準(zhǔn)孔與對位孔中心對正。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種光刻設(shè)備的對準(zhǔn)方法,其特征在于,所述對位孔的數(shù)量為2個,所述校準(zhǔn)孔的數(shù)量與對位孔的數(shù)量相等,且所述校準(zhǔn)孔與所述對位孔的位置相對應(yīng);
所述校準(zhǔn)孔的形狀與所述對位孔的形狀相同、且所述校準(zhǔn)孔與對位孔的尺寸比等于投影鏡頭倍率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種光刻設(shè)備的對準(zhǔn)方法,其特征在于,
所述對位孔分為多組,每組對位孔數(shù)量為2個,組與組之間的對位孔的大小不同,所述校準(zhǔn)孔的數(shù)量與對位孔的數(shù)量相等,且所述校準(zhǔn)孔與所述對位孔的位置一一對應(yīng);
所述校準(zhǔn)孔的形狀與所述對位孔的形狀相同、且所述校準(zhǔn)孔與所述對位孔的尺寸比等于投影鏡頭倍率。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種光刻設(shè)備的對準(zhǔn)方法,其特征在于,檢測通過所述重疊區(qū)域的紫外光束的光強達(dá)到最大值的步驟如下:
通過所述光電傳感器檢測所述重疊區(qū)域的紫外光束的光強:
將所述對位孔的成像與所述晶圓載臺上的所述校準(zhǔn)孔進(jìn)行初步對準(zhǔn),檢測所述重疊區(qū)域的紫外光束的光強,記為第一光強;
在水平方向和垂直方向上建立xyz軸坐標(biāo)系;
沿x方向移動晶圓載臺的位置,檢測重疊區(qū)域的紫外光束的光強,記為第二光強;
對比所述第一光強與所述第二光強大小,如果所述第二光強大于所述第一光強,則繼續(xù)沿同一方向移動,如果所述第二光強小于所述第一光強,則沿相反方向移動,直至第二光強達(dá)到最大值;
沿y方向移動所述晶圓載臺的位置,檢測所述重疊區(qū)域的紫外光束的光強,記為第三光強;
對比所述第三光強與所述第二光強大小,如果所述第三光強大于所述第二光強,則繼續(xù)沿同一方向移動,如果所述第三光強小于所述第二光強,則沿相反方向移動,直至第三光強達(dá)到最大值;
沿z方向移動所述晶圓載臺的位置,檢測所述重疊區(qū)域的紫外光束的光強,記為第四光強;
對比所述第四光強與所述第三光強大小,如果所述第四光強大于所述第三光強,則繼續(xù)沿同一方向移動,如果所述第四光強小于所述第三光強,則沿相反方向移動,直至第四光強達(dá)到最大值;
第四光強達(dá)到最大值即為通過所述重疊區(qū)域的紫外光束的光強達(dá)到最大值。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的一種光刻設(shè)備的對準(zhǔn)方法,其特征在于,紫外光束由位于掩模板上方的紫外光源發(fā)射,所述紫外光束為紫外脈沖光或紫外連續(xù)光。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于大族激光科技產(chǎn)業(yè)集團(tuán)股份有限公司,未經(jīng)大族激光科技產(chǎn)業(yè)集團(tuán)股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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