[發明專利]一種芯片波段變更粉比之間的換算方法在審
| 申請號: | 201910632406.4 | 申請日: | 2019-07-13 |
| 公開(公告)號: | CN110379908A | 公開(公告)日: | 2019-10-25 |
| 發明(設計)人: | 欒攀博 | 申請(專利權)人: | 深圳市大柏光電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/50 | 分類號: | H01L33/50 |
| 代理公司: | 深圳大域知識產權代理有限公司 44479 | 代理人: | 孟慶茹 |
| 地址: | 518100 廣東省深圳市寶安*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 熒光粉 搭配 芯片波段 換算 變更 封裝 熒光粉配比 波段 | ||
1.一種芯片波段變更粉比之間的換算方法,包括LED芯片各顯指熒光粉方案,其特征在于,LED芯片各顯指熒光粉方案包含有70RA方案、80RA方案、90RA方案,不同RA方案在封裝時熒光粉搭配方案不同,波段處于450-452.5-455nm時,具體熒光粉搭配方案如下:
(1)70RA熒光粉搭配方案:
a:G粉+Y粉,波長變化(450-452.5nm轉化為452.5-455nm);公式轉換為:G粉減少3-4%,Y粉增加4-5%;
波長逆向變化時,即452.5-455nm轉化為450-452.5nm,公式轉換為:G粉增加3-4%,Y粉減少4-5%;
b:Y粉+R粉,波長變化(450-452.5nm轉化為452.5-455nm);公式轉換為:Y粉減少1-5%,R粉增加1-3%;
波長逆向變化時,即452.5-455nm轉化為450-452.5nm,公式轉換為:Y粉增加1-5%,R粉減少1-3%;
(2)80RA熒光粉搭配方案:
a:G粉+R粉,波長變化(450-452.5nm轉化為452.5-455nm);公式轉換為:G粉減少2-4%,R粉增加1-4%;
波長逆向變化時,即452.5-455nm轉化為450-452.5nm,公式轉換為:G粉增加2-4%,R粉減少1-4%;
b:Y粉+R粉,波長變化(450-452.5nm轉化為452.5-455nm);公式轉換為:Y粉減少2-5%,R粉增加1-5%;
波長逆向變化時,即452.5-455nm轉化為450-452.5nm,公式轉換為:Y粉增加2-5%,R粉減少1-5%;
c:G粉+Y粉+R粉,波長變化(450-452.5nm轉化為452.5-455nm);公式轉換為:G粉減少2-4%,R粉增加2-4%;
波長逆向變化時,即452.5-455nm轉化為450-452.5nm,公式轉換為:Y粉增加3-5%,R粉減少2-4%;
(3)90RA熒光粉搭配方案:
a:G粉+R粉,波長變化(450-452.5nm轉化為452.5-455nm);公式轉換為:G粉減少2-4%,R粉增加2-5%;
波長逆向變化時,即452.5-455nm轉化為450-452.5nm,公式轉換為:G粉增加2-4%,R粉減少2-5%;
b:G粉+630R粉+650R粉,波長變化(450-452.5nm轉化為452.5-455nm);公式轉換為:G粉減少2-4%,R粉總量增加2-6%;
波長逆向變化時,即452.5-455nm轉化為450-452.5nm,公式轉換為:G粉增加2-4%,R粉總量減少2-6%;
c:G粉+Y粉+R粉,波長變化(450-452.5nm轉化為452.5-455nm);公式轉換為:G粉減少2-4%,R粉總量增加2-6%或Y粉減少3-5%,R粉總量增加2-6%;
波長逆向變化時,即452.5-455nm轉化為450-452.5nm,公式轉換為:G粉增加2-4%,R粉總量減少2-6%或Y粉增加3-5%,R粉總量減少2-6%。
2.根據權利要求1所述的芯片波段變更粉比之間的換算方法,其特征在于,所述的G粉成分GAYAG波長在530±3nm,且Y粉成分為YAG粉,峰值在548nm。
3.根據權利要求1所述的芯片波段變更粉比之間的換算方法,其特征在于,所述70RA熒光粉搭配方案采用G粉+Y粉搭配方案時,Y粉相對G粉對Y值影響小,其比例兌換Y:G=0.8:1,轉化時Y粉用量大于G粉用量,且減少粉的整體濃度1-3%,同時保持各項參數不變;逆向變化時,Y粉用量要大于G粉用量,須增加粉的整體濃度約1-3%,保持各項參數不變。
4.根據權利要求1所述的芯片波段變更粉比之間的換算方法,其特征在于,所述80RA熒光粉搭配方案采用G粉+Y粉+R粉搭配方案時,R粉搭配G粉比R粉搭配Y粉時,R粉使用量少,同時轉化過程中Y粉使用量多于G粉用量。
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