[發明專利]半導體材料、包含它的光電轉換器件及制備方法

有效

• 申請號: 201910631050.2
• 申請日: 2019-07-12
• 公開（公告）號: CN110330435B
• 公開（公告）日: 2020-08-07
• 發明（設計）人: 孫寶云;劉冰;崔榮麗;黃換;郭喜紅
• 申請（專利權）人: 中國科學院高能物理研究所
• 主分類號: C07C211/04
• 分類號: C07C211/04;C07C209/00;H01L51/00;H01L51/42
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 李華;崔香丹

1.一種半導體材料，其為式AM1_x1Pb_x2I_3-y1X_y2所示的鈣鈦礦化合物；

其中，所述化合物中A為甲銨陽離子、甲脒陽離子和Cs陽離子中的一種或多種；M1的價態為n1、X的價態為-n2，x1、x2、y1、y2滿足下式：1+n1x1+2x2＝3-y1+n2y2，x2不等于0，x1、y2不同為0；所述化合物中M1為Pb⁴⁺，X為F^-，0≤x1≤0.125,0≤y2≤0.125。

2.根據權利要求1所述的半導體材料，其特征在于，0≤x1≤0.04,0≤y2≤0.04。

3.根據權利要求1所述的半導體材料，其特征在于，所述鈣鈦礦化合物為MAPbI₃F_y2，其中0≤y2≤0.125。

4.根據權利要求3所述的半導體材料，其特征在于，0≤y2≤0.04。

5.一種光電轉換器件，其特征在于，包括權利要求1-4任一所述的半導體材料。

6.一種權利要求5所述的光電轉換器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1，形成包含所述M1陽離子和/或所述X陰離子與APbI₃的混合溶液形成的前驅體溶液；

S2，旋涂所述前驅體溶液形成光吸收層。