[發(fā)明專利]一種用于提供應力測試電壓的電路

有效

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• 申請日: 2019-07-12
• 公開（公告）號: CN110262611B
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發(fā)明（設計）人: 李奕勛
• 申請（專利權）人: 廣東浪潮大數據研究有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 丁曼曼

本發(fā)明公開了一種用于提供應力測試電壓的電路，包括POL測試電路，還包括用于控制POL測試電路的輸出電壓的控制電路；控制電路包括與第一分壓電阻并聯(lián)以提供高余量電壓的高余量控制電路；與第二分壓電阻并聯(lián)以提供低余量電壓的低余量控制電路；高余量控制電路包括第一余量電阻和第一開關；低余量控制電路包括第二余量電阻和第二開關。因此，該電路僅通過控制開關的閉合與斷開即可輸出高、低余量兩種測試電壓，避免了通過拆卸與重裝電阻的方式獲取測試電壓，大大提高了對硬件裝置的檢測效率，更加節(jié)省人力資源，提高了檢測得便捷性與準確性。

技術領域

本發(fā)明涉及系統(tǒng)測試領域，特別是涉及一種用于提供應力測試電壓的電路。

背景技術

檢測待測裝置在高、低余量電壓條件下能否正常工作是衡量該裝置穩(wěn)定性的重要步驟。目前，通常采用負載轉換器(POL)測試電路為待測裝置提供需要的高、低余量測試電壓，將POL測試電路的輸出電壓作為待測裝置的測試電壓，POL測試電路如圖1所示。該測試電路是通過拆卸電路中的分壓電阻并更換為其他阻值的電阻的方式為被測裝置提供高、低余量測試電壓。例如，正常情況下POL測試電路輸出5V電壓作為待測裝置正常工作時的電壓；當對被測裝置進行5.25V高余量電壓測試時，需拆卸POL測試電路中的分壓電阻，并通過計算來選定具有其他合適阻值的電阻，并將其重裝至POL測試電路中使該電路輸出電壓為5.25V，并將5.25V作為高余量測試電壓直接輸入被測裝置；同理，當被測裝置需要4.75V低余量的測試電壓時，仍需要拆卸分壓電阻并重裝其他阻值的電阻使POL測試電路輸出電壓為4.75V。

由上述可知，采用以上方式需要對分壓電阻進行人工拆卸，并重新裝入其他阻值電阻。但頻繁地拆卸和重裝分壓電阻會導致在實際操作中工作繁雜，尤其在對大量被測裝置進行測試時，需要人工多次進行手動更換，易造成誤操作，并且需要花費大量時間，效率較低。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的是提供一種用于提供應力測試電壓的電路，能夠無需對分壓電阻進行人工拆卸便可提供合適的電阻阻值，從而為被測裝置提供高、低余量測試電壓，使檢測過程更便捷、更高效。

為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種用于提供應力測試電壓的電路，包括POL測試電路，還包括：用于控制所述POL測試電路的輸出電壓的控制電路；所述控制電路包括：與第一分壓電阻并聯(lián)以提供高余量電壓的高余量控制電路；與第二分壓電阻并聯(lián)以提供低余量電壓的低余量控制電路；

所述高余量控制電路包括第一余量電阻和與所述第一余量電阻串聯(lián)以控制所述第一余量電阻的接入或斷開的第一開關；

所述低余量控制電路包括第二余量電阻和與所述第二余量電阻串聯(lián)以控制所述第二余量電阻的接入或斷開的第二開關。

優(yōu)選地，還包括：用于向所述第一開關和所述第二開關提供通斷信號的開關控制器件。

優(yōu)選地，所述開關控制器件的數量具體為1個。

優(yōu)選地，所述第一開關具體為第一N-MOSFET；所述第二開關具體為第二N-MOSFET；

所述開關控制器件與所述第一N-MOSFET的柵極連接，所述第一N-MOSFET的漏極與所述第一余量電阻的一端連接，所述第一N-MOSFET的源極與所述第一分壓電阻的一端連接；

所述開關控制器件與所述第二N-MOSFET的柵極連接，所述第二N-MOSFET的漏極與所述第二余量電阻的一端連接，所述第二N-MOSFET的源極與所述第二分壓電阻的一端連接。

優(yōu)選地，所述開關控制器件具體為CPLD。

優(yōu)選地，所述第一余量電阻和所述第二余量電阻具體為可調電阻。

優(yōu)選地，還包括：電壓傳感器；

所述電壓傳感器與所述POL測試電路的輸出端連接，用于檢測所述輸出電壓的電壓值。