[發明專利]具有帶寬提升結構的光學裝置

有效

• 申請號: 201910628680.4
• 申請日: 2019-07-12
• 公開（公告）號: CN110957634B
• 公開（公告）日: 2022-06-10
• 發明（設計）人: 鐘-伊·蘇
• 申請（專利權）人: 博通國際私人有限公司
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183;H01S5/187
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

1.一種發光裝置，其包括：

襯底，其具有第一表面及相對的第二表面；

外延結構，其具有第一表面及相對的第二表面，所述外延結構的所述第二表面定位成靠近所述襯底的所述第一表面；

第一金屬層，其具有第一表面及相對的第二表面，所述第一金屬層的所述第二表面面朝所述襯底的所述第一表面；及

至少一個光局限結構，其經配置以局限在所述外延結構內產生的光，其中所述至少一個光局限結構提供低折射率邊界，所述低折射率邊界將所述光局限在被所述至少一個光局限結構至少部分地環繞的臺面結構中；

其中所述至少一個光局限結構包括在所述外延結構的所述第二表面中的溝槽，所述溝槽至少部分地環繞所述臺面結構，以及

其中所述第一金屬層位于所述溝槽中且在橫截面圖中沿著所述臺面結構的整個寬度延伸。

2.根據權利要求1所述的發光裝置，其進一步包括：

第二金屬層，其位于所述外延結構的所述第一表面上，所述第二金屬層包括允許所述光的發射的開口。

3.根據權利要求2所述的發光裝置，其進一步包括：

在所述第一金屬層和所述外延結構之間的鈍化層，其中所述鈍化層包括在所述溝槽中的一部分，且其中所述溝槽完全圍繞所述臺面結構。

4.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述至少一個光局限結構包括所述外延結構的一或多個非蝕刻區域，所述一或多個非蝕刻區域散布在所述外延結構的蝕刻區域之間。

5.根據權利要求4所述的發光裝置，其中所述一或多個非蝕刻區域的比例及所述蝕刻區域的比例經選擇以平衡所述至少一個光局限結構提供的所期望折射率引導與所述至少一個光局限結構引發的散射損失。

6.根據權利要求5所述的發光裝置，其中所述蝕刻區域限定所述非蝕刻區域，以形成所述至少一個光局限結構的分隔開的光局限區。

7.根據權利要求6所述的發光裝置，其中所述分隔開的光局限區包括一或多個輻條形結構，所述一或多個輻條形結構從所述臺面結構的中心延伸。

8.根據權利要求2所述的發光裝置，其中所述外延結構包括第一分布式布拉格反射器DBR堆疊及量子阱QW區。

9.根據權利要求8所述的發光裝置，其中所述外延結構進一步包括第二DBR堆疊，且其中所述QW區夾在所述第一DBR堆疊與所述第二DBR堆疊之間。

10.根據權利要求9所述的發光裝置，其中所述第一DBR堆疊包括p型摻雜，其中所述第二DBR堆疊包括n型摻雜，且其中所述第一DBR堆疊比所述第二DBR堆疊更靠近所述襯底。

11.根據權利要求10所述的發光裝置，其中所述臺面結構進一步包括：

第一觸點，其被所述溝槽環繞，其中所述襯底包括高熱導率非原生襯底，且其中所述第一觸點具有反射性且與p型材料接觸。

12.根據權利要求11所述的發光裝置，其進一步包括鈍化層，所述鈍化層定位在所述第一金屬層與所述外延結構之間。