[發明專利]一種異質結電池分層氫鈍化方法、氫鈍化裝置、電池、電池組件及太陽能供電站

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• 申請號: 201910622728.0
• 申請日: 2019-07-11
• 公開（公告）號: CN110459651A
• 公開（公告）日: 2019-11-15
• 發明（設計）人: 周劍;其他發明人請求不公開姓名
• 申請（專利權）人: 蘇州邁正科技有限公司
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20;H01L31/0216;H01L31/0747
• 代理公司: 32103 蘇州創元專利商標事務所有限公司
• 代理人: 郝彩華<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種異質結電池分層氫鈍化方法，其特征在于：所述氫鈍化方法為在異質結電池制備過程中對所述異質結電池的半成品至少進行一次氫鈍化處理，進行氫鈍化處理時對所述異質結電池的半成品進行加熱并通過光源進行照射。

2.根據權利要求1所述的異質結電池分層氫鈍化方法，其特征在于：所述異質結電池為多層結構，所述異質結電池逐層制備，所述異質結電池每制備完成一層后對相應的層進行氫鈍化處理后再進行下一層的制備。

3.根據權利要求1所述的異質結電池分層氫鈍化方法，其特征在于：所述異質結電池為多層結構，所述異質結電池中一層結構由多個子分層逐層制備，每一所述子分層制備完成后對相應的所述子分層進行氫鈍化處理后再進行下一所述子分層的制備，或者多個所述子分層制備完成后進行氫鈍化處理后再進行下一所述子分層的制備。

4.根據權利要求1所述的異質結電池分層氫鈍化方法，其特征在于：進行氫鈍化處理的氫源為具有氫等離子體H^*的外部氫源，氫鈍化處理時將制備后的所述異質結電池的半成品放置在所述外部氫源中。

5.根據權利要求4所述的異質結電池分層氫鈍化方法，其特征在于：所述氫等離子體H^*為H⁺、H^-或H⁰。

6.根據權利要求1所述的異質結電池分層氫鈍化方法，其特征在于：進行氫鈍化處理的氫源為沉積在所述異質結電池上的薄膜層。

7.根據權利要求6所述的異質結電池分層氫鈍化方法，其特征在于：所述薄膜層的材料為SiN_x:H 、a-Si:H、nc-Si:H、μc-Si:H、poly-Si:H、μc-SiC:H、SiO_x:H、SiO_xN_y:H、AlO_x:H、AlO_xN_y:H中的一種。

8.根據權利要求1所述的異質結電池分層氫鈍化方法，其特征在于：進行氫鈍化處理的氫源同時包括具有氫等離子體的外部氫源和沉積在所述異質結電池上的薄膜層，氫鈍化處理時將制備后的所述異質結電池的半成品放置在所述外部氫源中。

9.根據權利要求8所述的異質結電池分層氫鈍化方法，其特征在于：所述氫等離子體為H⁺、H^-或H⁰，所述薄膜層的材料為SiN_x:H 、a-Si:H、nc-Si:H、μc-Si:H、μc-SiC:H、poly-Si:H、SiO_x:H、SiO_xN_y:H、AlO_x:H、AlO_xN_y:H中的一種。

10.根據權利要求1所述的異質結電池分層氫鈍化方法，其特征在于：所述光源的光強為1~160個太陽光強，照射時間為3~500s。

11.根據權利要求1所述的異質結電池分層氫鈍化方法，其特征在于：所述光源的光譜有部分或全部光譜波長落在100nm-1100nm區域內。

12.根據權利要求1所述的異質結電池分層氫鈍化方法，其特征在于：所述光源為LED陣列、白熾燈、激光器或者紅外燈。

13.根據權利要求1所述的異質結電池分層氫鈍化方法，其特征在于：進行氫鈍化處理時的加熱溫度為20-400攝氏度。