[發(fā)明專利]一種基于平面光波導(dǎo)的可飽和吸收體及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910622034.7 | 申請日： | 2019-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN110350389A | 公開（公告）日： | 2019-10-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張多多;劉小峰;邱建榮 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江大學(xué) |
| 主分類號： | H01S3/098 | 分類號： | H01S3/098;H01S5/065 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 可飽和吸收體 平面光波導(dǎo) 制備 金屬氧化物薄膜 半導(dǎo)體激光器 固體激光器 光纖激光器 金屬氧化物 近紅外波段 脈沖激光器 光纖V型槽 工作波段 過渡金屬 激光脈沖 激光損傷 激光器 氧化物 覆蓋 可用 | ||
1.一種基于平面光波導(dǎo)的可飽和吸收體，其特征在于：可飽和吸收體包括平面光波導(dǎo)和覆蓋于平面光波導(dǎo)表面的金屬氧化物，平面光波導(dǎo)主要由以石英玻璃作為襯底的PLC芯片和光纖V型槽組成，PLC芯片內(nèi)刻蝕有用于光傳輸?shù)牟▽?dǎo)光路，PLC芯片兩側(cè)耦合有光纖V型槽，PLC芯片表面刻蝕有用于沉積金屬氧化物的凹槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于平面光波導(dǎo)的可飽和吸收體，其特征在于：所述金屬氧化物包括摻錫氧化銦ITO、摻氟氧化錫FTO、摻鋁氧化鋅AZO、摻鋅氧化銦IZO、摻鎵氧化鋅GZO和銦鎵鋅氧化物IGZO以及金屬Ti、V、Mo、W的氧化物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于平面光波導(dǎo)的可飽和吸收體，其特征在于：所述可飽和吸收體的工作波段覆蓋0.5–3.0微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于平面光波導(dǎo)的可飽和吸收體，其特征在于：所述可飽和吸收體用于不同種類脈沖激光器的鎖模和調(diào)-Q脈沖的產(chǎn)生。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于平面光波導(dǎo)的可飽和吸收體，其特征在于：光在平面光波導(dǎo)中傳播時的倏逝場與覆蓋在PLC芯片上的金屬氧化物作用產(chǎn)生可飽和吸收效應(yīng)。
6.采用權(quán)利要求1～5任一所述的基于平面光波導(dǎo)的可飽和吸收體的制備方法，其特征在于：通過氣相沉積法在PLC芯片內(nèi)刻蝕形成波導(dǎo)，PLC芯片表面通過刻蝕形成凹槽且凹槽底部位于波導(dǎo)上方10微米處，金屬氧化物通過磁控濺射或激光沉積技術(shù)沉積在凹槽底部，然后通過波導(dǎo)耦合平臺將沉積有金屬氧化物的PLC芯片和光纖V型槽耦合后制作形成平面波導(dǎo)型可飽和吸收體。
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