[發明專利]一種低日照非晶硅薄膜太陽能電池窗口層的制備方法在審
| 申請號： | 201910621040.0 | 申請日： | 2019-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN110311018A | 公開（公告）日： | 2019-10-08 |
| 發明（設計）人： | 麥毅;吳復忠;谷肄靜;李水娥;戴新義 | 申請（專利權）人： | 貴州大學 |
| 主分類號： | H01L31/20 | 分類號： | H01L31/20;H01L31/0445;H01L31/075;H01L31/028 |
| 代理公司： | 北京聯創佳為專利事務所(普通合伙) 11362 | 代理人： | 張梅 |
| 地址： | 550025 貴州省*** | 國省代碼： | 貴州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 窗口層 非晶硅薄膜太陽能電池 襯底表面 導電玻璃 制備 日照 非晶硅薄膜電池 太陽能發電效率 乙烷 氫氣 原料氣 甲烷 按下 吹干 硅烷 硼烷 洗凈 沉積 | ||
1.一種低日照非晶硅薄膜太陽能電池窗口層的制備方法，其特征在于，按下述步驟進行：
a.洗凈導電玻璃襯底表面并吹干；
b.以硅烷、氫氣、甲烷/乙烷、硼烷為原料氣，在導電玻璃襯底表面沉積含碳和氫的P型非晶硅薄膜層，得到含B的P型SiCx:Hy非晶硅薄膜電池窗口層，其中，x=1,y=1或2或3。
2.根據權利要求1所述的低日照非晶硅薄膜太陽能電池窗口層的制備方法，其特征在于，步驟b中，沉積時，采用等離子體增強化學的氣相沉積法將摻B的SiCx:Hy非晶硅薄膜沉積于所述的導電玻璃襯底表面。
3.根據權利要求2所述的低日照非晶硅薄膜太陽能電池窗口層的制備方法，其特征在于，步驟b中，沉積時，導電玻璃襯底溫度為150～350℃。
4.根據權利要求3所述的低日照非晶硅薄膜太陽能電池窗口層的制備方法，其特征在于，步驟b中，沉積時，射頻功率為30～200W。
5.根據權利要求4所述的低日照非晶硅薄膜太陽能電池窗口層的制備方法，其特征在于，步驟b中，沉積時，沉積時間為1～60min。
6.根據權利要求5所述的低日照非晶硅薄膜太陽能電池窗口層的制備方法，其特征在于，步驟b中，沉積時，硅烷、氫氣、甲烷/乙烷、硼烷的濃度分別為10%～50%，10%～80%，5%～30%，1%～15%。
7.根據權利要求6所述的低日照非晶硅薄膜太陽能電池窗口層的制備方法，其特征在于，非晶硅薄膜電池窗口層的厚度為5～500nm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
