[發明專利]一種氧化鋅/銫鉛溴核殼微米線及其制備方法以及一種光探測器

在審

• 申請號: 201910620801.0
• 申請日: 2019-07-10
• 公開（公告）號: CN110323294A
• 公開（公告）日: 2019-10-11
• 發明（設計）人: 王飛;王云鵬;趙東旭;崔迪;楊哲
• 申請（專利權）人: 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/0296;H01L31/032;H01L31/109;H01L31/18;B81B1/00;B81C1/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 任美玲

1.一種氧化鋅/銫鉛溴核殼微米線，其特征在于，包括氧化鋅微米線芯材以及復合于所述氧化氧化鋅微米線芯材表面的銫鉛溴殼層。

2.根據權利要求1所述的核殼微米線，其特征在于，所述氧化鋅微米線芯材的橫截面的直徑為10～20μm，所述銫鉛溴殼層的厚度為5～15μm。

3.一種如權利要求1或2所述的氧化鋅/銫鉛溴核殼微米線的制備方法，其特征在于，采用CVD法，在所述氧化鋅微米線上生長銫鉛溴，得到氧化鋅/銫鉛溴核殼微米線。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述氧化鋅微米線按照如下方法進行制備：

1)將氧化鋅與碳混合后研磨，得到混合粉末；

2)以所述混合粉末為原料，在設置有氧化鋅籽晶層的襯底上進行化學氣相沉積，生長氧化鋅微米線，得到生長有氧化鋅微米線的襯底。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述氧化鋅與碳的摩爾比為(0.5～2):1；

所述化學氣相沉積的升溫速度為20℃/min～55℃/min；所述化學氣相沉積的溫度為900～1050℃；所述化學氣相沉積的時間為40～80min；

所述氧化鋅籽晶層的厚度為80～120nm；

所述氧化鋅微米線的長度為1～3cm。

6.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

A)將溴化銫與溴化鉛混合后研磨，得到混合粉末；

B)以所述混合粉末為原料，在生長有氧化鋅微米線的襯底上進行化學氣相沉積，生長銫鉛溴，得到氧化鋅/銫鉛溴核殼微米線。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述溴化銫與溴化鉛的摩爾比為(0.5～2):1；

當氧化鋅微米線的直徑為10～20μm時，所述混合粉末的添加量為0.15～0.5g。

8.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述化學氣相沉積的升溫程序為：以25～40℃/min的升溫速率升溫至500～800℃，保持10～40min。

9.一種自驅動光探測器，其特征在于，包括權利要求1或2所述的氧化鋅/銫鉛溴核殼微米線或權利要求3～8任一項所述的制備方法制備得到的氧化鋅/銫鉛溴核殼微米線。

10.根據權利要求9所述自驅動光探測器，其特征在于，包括：

氧化鋅/銫鉛溴核殼微米線；

與所述氧化鋅/銫鉛溴核殼微米線的氧化鋅微米線芯材相連的第一金屬電極；

與所述氧化鋅/銫鉛溴核殼微米線的銫鉛溴殼層相連的第二金屬電極。