[發明專利]像素排布結構及顯示面板有效
| 申請號: | 201910620459.4 | 申請日: | 2019-07-10 |
| 公開(公告)號: | CN110364557B | 公開(公告)日: | 2021-09-14 |
| 發明(設計)人: | 楊澤明 | 申請(專利權)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京華進京聯知識產權代理有限公司 11606 | 代理人: | 熊曲 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 排布 結構 顯示 面板 | ||
1.一種像素排布結構,其特征在于,包括多個子像素排,每個子像素排中的各子像素沿第一方向排列,多個子像素排沿與第一方向垂直的第二方向排布;各子像素的形狀均為四邊形,每個子像素包括相鄰的第一邊及第二邊,各子像素的第一邊與第一方向平行,第二邊相對第二方向傾斜設置;
多個子像素排中,每相鄰兩個子像素排構成一個像素組;每一所述像素組內,多個第一子像素和多個第二子像素在第一方向排布于一排,多個第三子像素在第一方向排布于相鄰的另一排;
每一所述像素組內,一個所述第一子像素和一個所述第二子像素在第一方向交替排布于一排,任意相鄰的一個所述第一子像素和一個所述第二子像素與一個所述第三子像素錯位相鄰;或者每一所述像素組內,每兩個所述第一子像素和每兩個所述第二子像素在所述第一方向交替排布于一排,每相鄰的一個所述第一子像素和一個所述第二子像素與一個所述第三子像素錯位相鄰;
其中,各子像素的形狀為平行四邊形,多個子像素排中,每相鄰n個子像素排為一個像素群,每個像素群中的各子像素的所述第二邊相對所述第二方向的傾斜方向相同,相鄰兩個所述像素群內的各子像素的所述第二邊相對所述第二方向的傾斜方向相反,其中n為2~6中的任意整數;或者
各子像素的形狀為平行四邊形,位于同一像素組內的各子像素的所述第二邊相對所述第二方向的傾斜方向相同;或者
各第一子像素、各第二子像素和各第三子像素為直角梯形,第一子像素和第二子像素的第一邊為直角梯形的兩底邊中的一條,第二邊為直角梯形的斜腰邊,直角梯形的直腰邊與所述第二方向平行,同一子像素排中的相鄰兩個子像素的兩個直腰邊相互鄰接或者兩個斜腰邊相互鄰接,同一子像素排中的相鄰兩個子像素的第二邊的傾斜方向相同;或者
各第一子像素和各第二子像素為梯形,各第三子像素為平行四邊形,第一子像素和第二子像素的第一邊為梯形的兩底邊中的一條,第二邊為梯形的斜腰邊;各梯形的子像素形成的同一子像素排中的相鄰兩個子像素的兩個斜腰邊相互鄰接,同一像素組內的各子像素均具有相對第二方向的傾斜方向相同的至少一條第二邊。
2.如權利要求1所述的像素排布結構,其特征在于,每一所述第三子像素與相鄰排的相鄰的所述第一子像素及所述第二子像素錯位排布。
3.如權利要求2所述的像素排布結構,其特征在于,所述第一子像素和所述第二子像素中一個為紅色子像素,另一個為藍色子像素,所述第三子像素為綠色子像素,藍色子像素的面積大于紅色子像素的面積,且大于綠色子像素的面積。
4.如權利要求2所述的像素排布結構,其特征在于,各第一子像素的面積相等,各第二子像素的面積相等,各第三子像素的面積相等。
5.如權利要求1所述的像素排布結構,其特征在于,各所述像素組內的各所述第三子像素均位于奇數排或偶數排;或者
每相鄰兩個像素組的兩排所述第三子像素之間相鄰設置。
6.如權利要求1所述的像素排布結構,其特征在于,至少有兩個相鄰的像素組的各子像素的排布相同。
7.如權利要求6所述的像素排布結構,其特征在于,任意兩個相鄰的像素組的各子像素的排布相同。
8.如權利要求1所述的像素排布結構,其特征在于,至少有兩個相鄰的像素組的第一子像素在所述第二方向上錯位排布,該兩個相鄰像素組的所述第二子像素在所述第二方向上錯位排布。
9.如權利要求8所述的像素排布結構,其特征在于,任意兩個相鄰的像素組的所述第一子像素在所述第二方向上錯位排布,該兩個相鄰像素組的所述第二子像素在所述第二方向上錯位排布。
10.如權利要求1所述的像素排布結構,其特征在于,各子像素的形狀為平行四邊形;且位于同一像素組內的各子像素的所述第二邊相對所述第二方向的傾斜方向相同時,各子像素的所述第二邊相對所述第二方向的傾斜方向均相同;或,相鄰兩個所述像素組內的各子像素的第二邊的傾斜方向相反。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





