[發明專利]鰭片式場效應晶體管裝置

有效

• 申請號: 201910620402.4
• 申請日: 2015-11-30
• 公開（公告）號: CN110265395B
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: 布萊戴恩杜瑞茲;馬汀克里斯多福荷蘭
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/336;H01L21/762
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種鰭片式場效應晶體管裝置，其特征在于，包含：

位于一基板之上的一第一半導體鰭片、一第二半導體鰭片以及一第三半導體鰭片，其中：

該第一半導體鰭片及該基板由不同的半導體材料形成；

該第一半導體鰭片及該第二半導體鰭片藉由一第一隔離區域來分離；

該第一半導體鰭片包含一下部部分及一上部部分；

差排缺陷限制在該下部部分；以及

該第二半導體鰭片及該第三半導體鰭片藉由一第二隔離區域來分離，且其中該第一隔離區域的一寬度大于該第二隔離區域的一寬度。

2.根據權利要求1所述的鰭片式場效應晶體管裝置，其特征在于：

該第一隔離區域包含一第一氧化物區域、一氮化物區域以及一第二氧化物區域，且其中該氮化物區域位于該第一氧化物區域與該第二氧化物區域之間。

3.根據權利要求2所述的鰭片式場效應晶體管裝置，其特征在于：

該氮化物區域的一寬度等于該第一半導體鰭片的一寬度。

4.根據權利要求1所述的鰭片式場效應晶體管裝置，其特征在于，進一步包含：

該第一隔離區域由氧化物形成；以及

該第二隔離區域由氧化物形成。

5.根據權利要求1所述的鰭片式場效應晶體管裝置，其特征在于：

該第一半導體鰭片的一高度比該第一半導體鰭片的該下部部分的一高度至少大兩倍。

6.一種鰭片式場效應晶體管裝置，其特征在于，包含：

位于一基板之上的一第一半導體鰭片、一第二半導體鰭片以及一第三半導體鰭片，其中：

該第一半導體鰭片及該基板由不同的半導體材料形成；

該第一半導體鰭片及該第二半導體鰭片藉由一第一隔離區域來分離；

該第二半導體鰭片及該第三半導體鰭片藉由一第二隔離區域來分離；

該第一半導體鰭片包含一下部部分及一上部部分；

該第一半導體鰭片的差排缺陷限制在該下部部分；

該上部部分的一高度大于該下部部分的一高度；以及

該第一隔離區域延伸至該第一半導體鰭片的該下部部分上方。

7.根據權利要求6所述的鰭片式場效應晶體管裝置，其特征在于：

該基板具有一第一晶體方向；以及

該第一半導體鰭片的該上部部分具有一第二晶體方向，該第二晶體方向不同于該第一晶體方向。

8.根據權利要求6所述的鰭片式場效應晶體管裝置，其特征在于：

該第一隔離區域包含一第一部分、一第二部分以及一第三部分，其中該第一隔離區域的該第二部分位于該第一隔離區域的該第一部分與該第三部分之間，并接觸該第一部分及該第三部分。

9.一種鰭片式場效應晶體管裝置，其特征在于，包含：

一第一半導體鰭片及一第二半導體鰭片，位于一基板之上，并藉由一第一隔離區域間隔開，該第一隔離區域包含一第一部分、一第二部分及一第三部分，其中該第二部分位于該第一部分與該第三部分之間，并接觸該第一部分及該第三部分，該第一部分及該第三部分由一第一介電材料形成，該第二部分由一第二介電材料形成，該第二介電材料不同于該第一介電材料，其中該第一半導體鰭片包含：

一上部部分，該上部部分無差排缺陷；以及

一下部部分，包含復數個差排缺陷，位于該上部部分下方，其中該第一隔離區域延伸至該第一半導體鰭片的該下部部分上方；

一第三半導體鰭片，位于該基板之上，其中該第三半導體鰭片與該第二半導體鰭片藉由一第二隔離區域間隔開；以及

一第四半導體鰭片，位于該基板之上，其中該第四半導體鰭片與該第三半導體鰭片藉由一第三隔離區域間隔開，其中：

該第一隔離區域的一寬度大于該第二隔離區域的一寬度的至少兩倍；以及

該第三隔離區域的一寬度等于該第二隔離區域的該寬度。

10.根據權利要求9所述的鰭片式場效應晶體管裝置，其特征在于：

該第一隔離區域的該第一部分及該第三部分由氧化物形成；以及

該第一隔離區域的該第二部分由氮化物形成。