[發明專利]一種浪涌保護電路

有效

• 申請號: 201910620110.0
• 申請日: 2019-07-10
• 公開（公告）號: CN110336262B
• 公開（公告）日: 2021-11-12
• 發明（設計）人: 羅旭程;何永強;程劍濤;杜黎明;孫洪軍;喬永慶
• 申請（專利權）人: 上海艾為電子技術股份有限公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 錢娜

1.一種浪涌保護電路，其特征在于，應用于電子設備，包括：串聯模塊以及浪涌泄放單元；其中：

所述串聯模塊的輸出端與所述浪涌泄放單元的輸入端相連；并且，所述串聯模塊的輸入端接收浪涌電壓，所述浪涌泄放單元的輸出端接地；

當所述串聯模塊和所述浪涌泄放單元分別滿足相應的泄放要求時，所述串聯模塊和所述浪涌泄放單元將所述浪涌電壓泄放到地；

所述串聯模塊，包括：第一開關管和第一二極管；其中：所述第一開關管與所述第一二極管反方向并聯連接；

所述浪涌泄放單元，包括：第二開關管、第二二極管、穩壓二極管以及接地電阻；其中：所述第二開關管的輸入端與所述第二二極管的陰極以及所述穩壓二極管的負極均相連，連接點作為所述浪涌泄放單元的輸入端；所述穩壓二極管的正極以及接地電阻的一端相連，連接點與所述第二開關管的控制端相連；所述第二開關管的輸出端與所述接地電阻的另一端以及所述第二二極管的正極相連，連接點作為所述浪涌泄放單元的輸出端；

所述串聯模塊的寄生電容小于所述浪涌泄放單元的寄生電容。

2.根據權利要求 1 所述的浪涌保護電路，其特征在于，所述第一開關管為隔離的低壓管。

3.根據權利要求 1 所述的浪涌保護電路，其特征在于，所述第一二極管為所述第一開關管的寄生二極管。

4.根據權利要求 1 所述的浪涌保護電路，其特征在于，所述第一開關管為 N 型金屬-氧化物-半導體場效應晶體管 NMOS 晶體管；

所述第一二極管的陰極與所述 NMOS 晶體管的柵極及漏極均相連，連接點作為所述串聯模塊的輸入端；

所述第一二極管的陽極與所述 NMOS 晶體管的源極相連，連接點作為串聯模塊的輸出端。

5.根據權利要求 1 所述的浪涌保護電路，其特征在于，所述第一開關管為 P 型金屬-氧化物-半導體場效應晶體管 PMOS 晶體管；

所述第一二極管的陰極與所述 PMOS 晶體管的源極相連，連接點作為所述串聯模塊的輸入端；

所述第一二極管的陽極與所述 PMOS 晶體管的柵極及漏極均相連，連接點作為所述串聯模塊的輸出端。

6.根據權利要求 1 所述的浪涌保護電路，其特征在于，所述串聯模塊與所述浪涌泄放單元集成于集成電路中。

7.根據權利要求 1 所述的浪涌保護電路，其特征在于，所述第二開關管為高壓 NMOS晶體管。