[發明專利]基板處理裝置以及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201910619215.4
• 申請日: 2019-07-10
• 公開（公告）號: CN110863190B
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發明（設計）人: 岡嶋優作;西堂周平;吉田秀成;佐佐木隆史
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;孫明軒

提供一種抑制原料氣體的副產物相對于爐口部附著的基板處理裝置以及半導體裝置的制造方法。基板處理裝置具有：處理室和多個噴頭，處理室具有：筒狀的反應管，其一端是開放的；筒狀的歧管，其與反應管的開放端連接，并且在側面具有將來自氣體供給管的處理氣體向處理室內導入的多個氣體供給孔；和蓋，其能夠開閉地封閉歧管的與連接于反應管的一端為相反端的開口，蓋具有：保護板，其以在與蓋之間形成有第一間隙的方式設于蓋的內表面；和導入口，其從蓋的外側向第一間隙導入清洗氣體，歧管構成為，以在與歧管之間形成有第二間隙的方式在歧管的內壁具有引導板，在第一間隙向著歧管流動的清洗氣體通過歧管的內壁偏轉而向第二間隙流入。

技術領域

本發明涉及對基板進行薄膜生成等處理的基板處理裝置、以及使用了基板處理裝置的半導體裝置的制造方法。

背景技術

作為半導體裝置的制造工序中的進行基板處理的基板處理裝置，而具有縱型基板處理裝置。對于縱型基板處理裝置，在使多片基板層疊為多層來保持的狀態下，裝入至處理室內，將多片基板批量處理。

近年來，使用難以分解的原料氣體的高溫工藝的需要變得高漲。在執行高溫工藝的情況下，處理室下部的爐口部也會成為高溫，由此有可能會超出設于爐口部的O型環等密封部件的耐熱溫度。為此，通過在爐口部設置冷卻流路，并在冷卻流路內流通冷卻水，來將密封部件維持于耐熱溫度范圍內。

另一方面，在爐口部的溫度降低了的情況下，擴散的原料氣體的反應副產物會附著于爐口部，成為微粒產生的原因。在以往，作為用于抑制反應副產物相對于爐口部附著的措施，而在爐口部設置加熱器。但是，無法避免冷卻流路附近的溫度降低，難以避免反應副產物附著在冷卻流路附近。

另外，在以往還具有一種方法，其在對爐口部開閉的蓋部上設置與爐口部的內表面平行的引導部。在該方法的情況下，向引導部供給清洗氣體，使清洗氣體在爐口部的內表面流通，由此抑制反應副產物相對于爐口部附著。但是，在該方法中，為了防止基于與爐口部的接觸所發生的引導部的破損，而需要在引導部與爐口部的內表面之間設置規定大小、例如4mm左右的間隙，從而無法獲得充分的效果。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2016－9724號公報

專利文獻2：美國專利第6902624號說明書

專利文獻3：日本專利第6146886號公報

發明內容

本發明提供一種抑制原料氣體的副產物相對于爐口部附著的基板處理裝置以及半導體裝置的制造方法。

本發明的一個方式為一種基板處理裝置，其具有：處理室，其具有將多個基板在沿著規定的軸以規定的間隔排列的狀態下收容的筒狀的空間；和多個噴頭，其與氣體供給管分別連通，并在所述處理室內排出處理氣體，所述處理室具有：筒狀的反應管，其一端是開放的；筒狀的歧管，其與所述反應管的開放端連接，并且在側面具有將來自所述氣體供給管的處理氣體向所述處理室內導入的多個氣體供給孔；和蓋，其能夠開閉地封閉所述歧管的與連接于所述反應管的一端為相反端的開口，所述蓋具有：保護板，其以在與所述蓋之間形成有第一間隙的方式設于所述蓋的內表面；和導入口，其從所述蓋的外側向所述第一間隙導入清洗氣體，所述歧管構成為，以在與所述歧管之間形成有第二間隙的方式在所述歧管的內壁具有引導板，在所述第一間隙向著所述歧管流動的所述清洗氣體通過所述歧管的內壁偏轉而向所述第二間隙流入。

發明效果

根據本發明的一個方式，可發揮能夠大幅抑制反應副產物相對于歧管內壁附著、和微粒產生，并謀求生產性提高的優異效果。

附圖說明

圖1是表示本發明的第一實施例的基板處理裝置的縱剖視圖。

圖2是表示該基板處理裝置的爐口部的縱剖視圖。