[發(fā)明專利]一種選擇性去除污染物的電化學(xué)膜組件及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910618472.6 | 申請日: | 2019-07-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110316795B | 公開(公告)日: | 2021-05-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王志偉;陳妹;吳志超 | 申請(專利權(quán))人: | 同濟(jì)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C02F1/461 | 分類號(hào): | C02F1/461;C02F1/72;C02F3/12;C02F1/44;B01D69/12;B01D67/00;B01D65/08 |
| 代理公司: | 北京挺立專利事務(wù)所(普通合伙) 11265 | 代理人: | 余瑩 |
| 地址: | 200092 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 選擇性 去除 污染物 電化學(xué) 組件 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種選擇性去除污染物的電化學(xué)膜組件及其制備方法,屬于膜分離技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明通過浸涂法在Ti/SnO2?Sb基底電極上涂覆分子印跡型TiO2溶膠?凝膠后燒結(jié)得分子印跡型Ti/MI?TiO2/SnO2?Sb涂層電極,再用環(huán)氧樹脂膠將該涂層電極貼合于陶瓷微濾膜得到Ti/MI?TiO2/SnO2?Sb分子印跡陽極復(fù)合導(dǎo)電膜,然后采用分子印跡陽極復(fù)合導(dǎo)電膜作為陽極,鈦網(wǎng)作為陰極,得到了具有選擇性去除污染物的電化學(xué)膜組件,該電化學(xué)膜組件可以實(shí)現(xiàn)電化學(xué)微濾膜與分子印跡技術(shù)的有效耦合,將該電化學(xué)膜組件用于膜反應(yīng)器中并在連續(xù)流模式下操作運(yùn)行時(shí),不僅可以實(shí)現(xiàn)污水中懸浮顆粒和難降解有機(jī)物的去除,而且還能實(shí)現(xiàn)對某類難降解污染物的高選擇性去除。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種電化學(xué)膜組件及其制備方法,具體涉及一種選擇性去除污染物的電化學(xué)膜組件及其制備方法,屬于膜分離技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
隨著藥物、抗生素、抗菌劑等化合物的廣泛應(yīng)用,它們都將通過各種途徑進(jìn)入自然水體中。盡管這些新興污染物的濃度較低(在ng~μg之間),但是這些微污染物一般具有高毒性、難生物降解、致病甚至致畸性等特點(diǎn)。而這些高毒性的微污染物通常與一些低毒性、濃度極高的易生物降解有機(jī)物共同存在。
電化學(xué)高級(jí)氧化法是一種新興的污水處理技術(shù),能有效去除污水中難降解污染物。通過外加電場,可以原位生成氧化劑物種(如羥基自由基、H2O2等),從而降解水體中的難降解有機(jī)污染物。電化學(xué)與膜分離的耦合技術(shù)已經(jīng)被大量證明能有效地去除難降解有機(jī)物。但由于電化學(xué)氧化技術(shù)產(chǎn)生的一般為無選擇性的強(qiáng)氧化劑(如HO·等),導(dǎo)致電化學(xué)膜分離技術(shù)難以做到選擇性去除水體中某種或某類污染物。如何實(shí)現(xiàn)水體中某種或某類難降解有機(jī)物的優(yōu)先去除是目前亟待研究和實(shí)踐的重點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)中的問題,本發(fā)明提供一種選擇性去除污染物的電化學(xué)膜組件及其制備方法,該電化學(xué)膜組件可以實(shí)現(xiàn)電化學(xué)微濾膜與分子印跡技術(shù)的有效耦合,將該電化學(xué)膜組件用于膜反應(yīng)器中并在連續(xù)流模式下操作運(yùn)行時(shí),不僅可以實(shí)現(xiàn)污水中懸浮顆粒和難降解有機(jī)物的去除,而且還能實(shí)現(xiàn)對某類難降解污染物的高選擇性去除。
為實(shí)現(xiàn)以上技術(shù)目的,本發(fā)明的技術(shù)方案是:
一種選擇性去除污染物的電化學(xué)膜組件,包括膜框、分子印跡陽極復(fù)合膜、鈦網(wǎng),所述膜框上設(shè)有與膜框內(nèi)腔相通的抽吸口,所述膜框內(nèi)腔內(nèi)設(shè)有鈦網(wǎng)作為陰極,所述膜框外兩側(cè)均設(shè)有分子印跡陽極復(fù)合膜,分子印跡陽極復(fù)合膜包括 Ti-SnO2-Sb基體電極和陶瓷微濾膜,其中,基體電極面對膜框內(nèi)腔設(shè)置,基體電極上涂覆有分子印跡型TiO2溶膠-凝膠涂層。
上述電化學(xué)膜組件的制備方法,步驟為:
(1)將Ti-SnO2-Sb基體電極浸入分子印跡型TiO2溶膠-凝膠中,取出后灼燒得到表面涂覆有TiO2溶膠-凝膠涂層的涂層電極,然后采用環(huán)氧樹脂將上述涂層電極貼合于陶瓷微濾膜表面即得分子印跡陽極復(fù)合膜;
(2)將鈦網(wǎng)作為陰極垂直置于膜框中,取步驟(1)所得兩片分子印跡陽極復(fù)合膜正對陰極貼合于膜框外兩側(cè),其中,基體電極面對膜框內(nèi)腔設(shè)置。
優(yōu)選地,所述Ti-SnO2-Sb基體電極的制備方法為:配置Sn:Sb為9:1的溶膠-凝膠,然后將其涂覆在孔徑為100μm,厚度為200μm的鈦網(wǎng)上,燒結(jié)得到Ti/SnO2-Sb基底電極。
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