[發(fā)明專利]一種改善mark點(diǎn)隱裂的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910617679.1
• 申請(qǐng)日: 2019-07-10
• 公開（公告）號(hào): CN110465755A
• 公開（公告）日: 2019-11-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顧成陽(yáng);李影;宛正
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 阜寧蘇民綠色能源科技有限公司
• 主分類號(hào): B23K26/53
• 分類號(hào): B23K26/53
• 代理公司: 32224 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 董建林<國(guó)際申請(qǐng)>=<國(guó)際公布>=<進(jìn)入

1.一種改善mark點(diǎn)隱裂的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、調(diào)整激光器參數(shù)，激光器的Power Factor設(shè)置為50、PRF設(shè)置為0；

步驟二、以激光器掃描制備四個(gè)mark點(diǎn)，mark點(diǎn)由一條橫線和兩條豎線組成，兩條豎線分別位于橫線的兩側(cè)，豎線垂直于橫線且位于橫線的中心線上，兩條豎線的靠近橫線的端點(diǎn)到橫線的垂直距離相等且大于零；

步驟三、四個(gè)mark點(diǎn)均位于硅片表面，將四個(gè)mark點(diǎn)作為印刷對(duì)位點(diǎn)；

步驟四、用激光掃描制備柵線，用于正電極印刷機(jī)臺(tái)套印。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善mark點(diǎn)隱裂的方法，其特征在于，所述mark點(diǎn)的畫法包括以下步驟：

a、橫向畫一條直線，設(shè)該橫線中點(diǎn)的坐標(biāo)為(0，0)，橫線長(zhǎng)度為0.5mm；

b、在橫線上方畫一條豎線，該豎線的中點(diǎn)坐標(biāo)為(0，0.14)，長(zhǎng)度為0.22mm；

c、在橫線下方畫一條豎線，該豎線的中點(diǎn)坐標(biāo)為(0，-0.14)，長(zhǎng)度為0.22mm；

d、組合上述一條橫線與兩條豎線，形成mark點(diǎn)，并復(fù)制三個(gè)mark點(diǎn)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善mark點(diǎn)隱裂的方法，其特征在于，所述硅片的中心點(diǎn)設(shè)為坐標(biāo)原點(diǎn)(0，0)，所述四個(gè)mark點(diǎn)的坐標(biāo)分別為(-62.4，66.43)，(62.4，66.43)，(62.4，-66.43)，(-62.4，-66.43)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善mark點(diǎn)隱裂的方法，其特征在于，所述激光器進(jìn)行激光掃描時(shí)，頻率為130kHz，Power Factor為130kHz，進(jìn)給速度為200mm/s，功率100％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善mark點(diǎn)隱裂的方法，其特征在于，所述mark點(diǎn)中，兩條豎線的遠(yuǎn)離橫線的端點(diǎn)之間的垂直距離與橫線的長(zhǎng)度相等。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善mark點(diǎn)隱裂的方法，其特征在于，所述豎線的靠近橫線的端點(diǎn)到橫線的垂直距離范圍為0.03～0.04mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善mark點(diǎn)隱裂的方法，其特征在于，所述四個(gè)mark點(diǎn)分別位于所述硅片的四角上。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善mark點(diǎn)隱裂的方法，其特征在于，所述mark點(diǎn)中，橫線長(zhǎng)度為0.5mm。