[發明專利]在半導體晶圓上形成薄膜的方法在審
| 申請號： | 201910614302.0 | 申請日： | 2019-07-09 |
| 公開（公告）號： | CN110331386A | 公開（公告）日： | 2019-10-15 |
| 發明（設計）人： | 羅興安;胡淼龍;張春雷;蔣志超 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | C23C16/52 | 分類號： | C23C16/52;C23C16/50;C23C16/44;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/30;C23C16/26;C23C16/22 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 駱希聰 |
| 地址： | 430205 湖北省武漢市洪山區東*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體晶圓 薄膜 溫度分布 加熱半導體 參數類型 溫度區 晶圓 | ||
1.一種在半導體晶圓上形成薄膜的方法，包括以下步驟：
根據薄膜的參數類型及參數分布，確定形成所述薄膜時，所述半導體晶圓上的溫度分布；
根據所述溫度分布加熱所述半導體晶圓，而在所述半導體晶圓上形成多個溫度區；以及
在所述半導體晶圓上形成薄膜。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體晶圓上的所述溫度分布與離所述半導體晶圓的中心的距離相關。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述溫度分布中，
離所述半導體晶圓的中心的距離越近，則溫度越高；
離所述半導體晶圓的中心的距離越近，則溫度越低；
離所述半導體晶圓的中心的距離從遠到近，則溫度先升高后降低；或者
離所述半導體晶圓的中心的距離從遠到近，則溫度先降低后升高。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體晶圓上的所述溫度分布與以所述半導體晶圓的中心為極點的極坐標系的角度有關。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述參數類型包括厚度、折射率、消光系數和局部應力。
6.如權利要求1或5所述的方法，其特征在于，還包括預先建立所述參數類型所對應的參數分布和所述溫度分布的對應關系表。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述多個溫度區之間的溫度差小于或等于20℃。
8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述薄膜的方法包括PECVD、SACVD和HDPCVD。
9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述薄膜的材料包括適用于PECVD方法的氮化硅、氧化硅、氮氧化硅和碳，適用于SACVD方法的氧化硅和BPSG，以及適用于HDPCVD方法的氧化硅。
10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳以及BPSG。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
