[發(fā)明專利]一種基于多位并行二進(jìn)制突觸陣列的神經(jīng)形態(tài)計算電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910609991.6 | 申請日: | 2019-07-08 |
| 公開(公告)號: | CN110378475B | 公開(公告)日: | 2021-08-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃科杰;張賽;沈海斌 | 申請(專利權(quán))人: | 浙江大學(xué) |
| 主分類號: | G06N3/063 | 分類號: | G06N3/063;H03M1/46 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200 | 代理人: | 萬尾甜;韓介梅 |
| 地址: | 310058 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 并行 二進(jìn)制 突觸 陣列 神經(jīng) 形態(tài) 計算 電路 | ||
1.一種基于多位并行二進(jìn)制突觸陣列的神經(jīng)形態(tài)計算電路,其特征在于,包括神經(jīng)軸突模塊、多位并行的二進(jìn)制RRAM突觸陣列、時分復(fù)用器、多個積分器和一個共享的逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器(SAR ADC);
來自神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)上一層的輸入信號,先進(jìn)入神經(jīng)軸突模塊,神經(jīng)軸突模塊包括2個基本單元:時序調(diào)度器和加法器,時序調(diào)度器用于安排信號的時序,使輸入信號采用樹突優(yōu)先的策略,依次輸入到多位并行的二進(jìn)制RRAM突觸陣列;加法器用于陣列規(guī)模的拓展,當(dāng)配置的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)輸入層大于1個RRAM陣列的輸入時,利用加法器將多個陣列的計算結(jié)果相加,從而得到網(wǎng)絡(luò)層的輸出;
多位并行的二進(jìn)制RRAM突觸陣列中的基本組成單元為1晶體管-1RRAM(1T1R)結(jié)構(gòu),其中晶體管用來控制開關(guān)行為,源級接地,漏級接二進(jìn)制RRAM的一端,RRAM的另一端連入積分器電路,多位并行的二進(jìn)制RRAM突觸陣列中N個二進(jìn)制RRAM以固定點(diǎn)數(shù)的形式來模擬神經(jīng)突觸的差異水平,晶體管柵極接輸入信號線,神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)層的輸入也采用N位固定點(diǎn)數(shù)的形式,每位二進(jìn)制的輸入直接作為1T1R單元的控制電壓Vc;
積分器包括積分運(yùn)放和開關(guān)電容電路,用來將輸入信號和RRAM陣列權(quán)重的MAC計算結(jié)果轉(zhuǎn)化為模擬積分電壓;
共享SAR ADC將模擬積分電壓量化為N位數(shù)字形式的輸出數(shù)據(jù);
時分復(fù)用器用于將SAR ADC和積分器共享給網(wǎng)絡(luò)層所有的輸入,通過時序的調(diào)度最大化硬件資源的利用率;
所述的積分器包括積分運(yùn)放和開關(guān)電容電路,用來將輸入信號和RRAM陣列權(quán)重的MAC計算結(jié)果轉(zhuǎn)化為模擬積分電壓,具體為:
用N個二進(jìn)制的RRAM來模擬一個突觸,因此可將一個N位固定點(diǎn)權(quán)重表示為w=an-1an-2...a0,進(jìn)一步地可將樹突輸出結(jié)果表達(dá)為:
y=∑xiwi=∑2n-1ai,n-1xi+…+∑21ai,1xi+∑20ai,0xi (1)
每個積分器由積分運(yùn)放、Cn電容、Cf-Cn電容以及S1、S2、S3、S4開關(guān)組成,采用256路并行輸入,每一個輸入數(shù)據(jù)量化為N位固定點(diǎn)數(shù),從低位到高位依次進(jìn)入積分電路,A0,0A1,0...Ap-1,0依次被選為軸突線的輸入,作為RRAM突觸陣列中1T1R單元的控制電壓;
當(dāng)積分電路開啟時,門控時鐘打開,由開關(guān)S1、S2、S3、S4和S5控制積分過程和電荷重分配過程;
在積分階段,開關(guān)S1、S2和SAR ADC中的采樣開關(guān)S5閉合,同時將開關(guān)S3和S4關(guān)斷以分隔開積分器的輸出電壓,得到的積分電壓可表示為:
其中Vo是當(dāng)前積分器的積分電壓,Vo-是積分器前面的積分狀態(tài),T是固定的積分時間,Gi是二值化權(quán)重的電導(dǎo)值,RRAM在高阻態(tài)和低阻態(tài)對應(yīng)的電阻值分別為1/RH和1/RL,Vref是基準(zhǔn)讀取電壓,Cf是總的反饋電容;
當(dāng)1位積分過程完成后,開關(guān)S2斷開以維持積分電壓恒定,同時關(guān)斷運(yùn)放以最小化功耗,然后開關(guān)S1關(guān)斷使RRAM陣列的功耗接近于0;隨后開關(guān)S3閉合利用電荷重分配方法得到MAC計算的等價模擬電壓;同時開關(guān)S4關(guān)斷完成積分電路的復(fù)位;一旦電荷重分配過程完成,開關(guān)S4關(guān)斷、S2打開,為下一位輸入數(shù)據(jù)的積分過程做好準(zhǔn)備;
在電荷重分配階段,同時完成了不同權(quán)重位和不同輸入位的加權(quán)過程;首先用不同的電容來實現(xiàn)不同權(quán)重位的加權(quán),電容從大到小依次為Cn-1,Cn-2…C0,可表示為如下關(guān)系:Cn-1=21Cn-2=…=2n-1C0;不同權(quán)重位加權(quán)后,過程等效電壓Vs可表示為:
式(3)可以看作等式(1)在輸入只有1位時的特殊情況;
SAR ADC中的共享DAC電容陣列Cf用于鏡像Vs電壓,以完成不同輸入位的加權(quán)過程,Cf=2nC0;輸出積分電壓Vout初始化為0,每位積分過程完成后,前面輸入位的平分電壓Vx-與當(dāng)前位的積分等效電壓Vs通過Cf和Cn-1Cn-2…C0進(jìn)行電荷平分,由于輸入數(shù)據(jù)從低位到高位依次進(jìn)行輸入,相當(dāng)于分別被平分了2n-1,2n-2…20次,因此最后積分輸出電壓Vout可表示為:
等式(4)等價于等式(1);通過上述積分過程和電荷重分配過程,完成了數(shù)字形式的N位固定點(diǎn)輸入和N位固定點(diǎn)權(quán)重的乘和累加運(yùn)算,得到模擬形式的輸出電壓;
最后,位于SAR ADC中的采樣開關(guān)S5斷開,在完成所有位積分過程得到Vout輸出電壓的同時,SAR ADC也通過共享DAC陣列完成了對Vout的采樣,開始將模擬積分電壓結(jié)果量化成N位數(shù)字形式,以便于存儲和傳輸;在SAR ADC量化階段,門控時鐘關(guān)斷,開關(guān)S1、S2、S3和S4斷開以關(guān)斷積分電路的能耗;
所述的共享SAR ADC,具體為:
8位共享SAR ADC采用高精度高功耗ADC和低精度低功耗ADC組合的結(jié)構(gòu),用低功耗ADC量化高4位結(jié)果,用高精度ADC量化低4位結(jié)果。
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