[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號： | 201910609701.8 | 申請日： | 2019-07-08 |
| 公開（公告）號： | CN111697063A | 公開（公告）日： | 2020-09-22 |
| 發明（設計）人： | 洪洪;磯部康裕;吉岡啟;杉山亨;巖井正明;細川直范;小野村正明 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/40 | 分類號： | H01L29/40;H01L29/778 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，其中，具備：
第一氮化物半導體層；
第二氮化物半導體層，位于上述第一氮化物半導體層之上，帶隙比上述第一氮化物半導體層大；
第一電極，位于上述第二氮化物半導體層之上，與上述第一氮化物半導體層電連接；
第二電極，位于上述第一氮化物半導體層之上，與上述第一氮化物半導體層電連接；
柵極電極，位于上述第一電極與上述第二電極之間；
第一場板電極，位于上述第二氮化物半導體層上，高度與上述柵極電極相同；以及
第二場板電極，位于比上述第一場板電極更靠上述第二電極側，設置在上述第一場板電極的上方。
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，
在上述第一場板電極與上述第二場板電極之間還具備絕緣膜。
3.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，
上述第一場板電極和上述第二場板電極電連接于上述源極電極。
4.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，
在上述柵極電極上還具備第一導電層以及第二導電層，
上述第一導電層與漏極電極的距離為，上述柵極電極與上述漏極電極的距離以上，
上述第二導電層與漏極電極的距離為，上述柵極電極與上述漏極電極的距離以上。
5.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，
上述柵極電極與上述第一場板電極的距離大于0.0μm且為10μm以下。
6.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，
上述第一場板電極和上述第二場板電極在上述第一氮化物半導體層與上述第二氮化物半導體層的層疊方向上至少一部分重疊。
7.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，
上述柵極電極和上述第一場板電極由相同的導電材料構成。
8.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，還具備：
第三場板電極，與上述第一電極電連接，向上述第二電極方向延伸，位于上述柵極電極的上方；以及
第四場板電極，位于上述第二場板電極與上述第二電極之間。
9.一種半導體裝置，其中，具備：
第一氮化物半導體層；
第二氮化物半導體層，位于上述第一氮化物半導體層之上，帶隙比上述第一氮化物半導體層大；
第一電極，位于上述第一氮化物半導體層之上，與上述第一氮化物半導體層電連接；
第二電極，位于上述第一氮化物半導體層之上，與上述第一氮化物半導體層電連接；
柵極電極，位于上述第一電極與上述第二電極之間；以及
第一場板電極，與上述第二氮化物半導體層直接接觸，高度與上述柵極電極相同。
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