[發明專利]帶遮擋的濺射沉積裝置及方法

在審

• 申請號: 201910606616.6
• 申請日: 2019-07-05
• 公開（公告）號: CN110684945A
• 公開（公告）日: 2020-01-14
• 發明（設計）人: 蒂莫西·內格爾;托馬斯·黑克爾
• 申請（專利權）人: 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/34;C23C14/08;C23C14/56
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• 代理人: 暫無信息

1.一種濺射沉積系統，包括一個工藝模塊，所述工藝模塊包括：

一個真空外殼，配置為接收一個移動襯底；

多個濺射靶，設置在所述真空外殼中，每個所述濺射靶包括一種靶材；以及

一個外部遮蔽件，設置在所述襯底和相鄰濺射靶的間隙空間之間，所述外部遮蔽件構造為至少部分地阻擋濺射靶材間接沉積在所述襯底上，并且允許所述濺射靶材直接沉積在所述襯底上。

2.如權利要求1所述的沉積系統，其中所述外部遮蔽件包括多個孔，每個孔構造為將所述襯底的一部分直接暴露給一個相應的濺射靶。

3.如權利要求2所述的沉積系統，其中所述這些孔中的至少一個構造為使得與所述襯底的中央區域相比，所述襯底的相對的第一邊緣區域和第二邊緣區域暴露于更大量的間接沉積。

4.如權利要求2所述的沉積系統，其中所述這些孔中的至少一個構造為使得所述外部遮蔽件將所述襯底的相對的第一邊緣區域和第二邊緣區域暴露于來自所述這些濺射靶中至少一個的濺射靶材的間接沉積，并且實質上阻擋所述濺射靶材在所述襯底的中央區域上的全部間接沉積。

5.如權利要求2所述的沉積系統，其中

來自每個濺射靶的直接沉積的比率在所述濺射靶的中央區域是最高的，在所述濺射靶的相對的邊緣區域是最低的；并且

所述外部遮蔽件構造為部分地阻擋所述間接沉積，使得所述間接沉積的比率在所述襯底的相對的邊緣區域是最高的，在所述襯底的中央區域是最低的。

6.如權利要求1所述的沉積系統，其中所述外部遮蔽件是電接地的或電浮置的，使得所述外部遮蔽件的極性與包括所述這些濺射靶中的磁控管的極性是不同的。

7.如權利要求1所述的沉積系統，其中所述外部遮蔽件包括多個單獨的遮蔽構件，這些遮蔽構件構造為至少部分地阻擋所述濺射靶材的間接沉積。

8.如權利要求7所述的沉積系統，其中所述這些遮蔽構件構造為阻擋相對較多的所述濺射靶材間接沉積在所述襯底的中央區域上，并且阻擋相對較少的所述濺射靶材間接沉積在所述襯底的相對的邊緣區域上。

9.如權利要求7所述的沉積系統，其中每個所述遮蔽構件設置在所述襯底和相鄰靶的間隙空間之間。

10.如權利要求1所述的沉積系統，其中所述這些靶包括相同類型的靶材。

11.如權利要求10所述的沉積系統，其中所述靶材包括一種透明導電氧化物。

12.如權利要求11所述的沉積系統，其中所述透明導電氧化物包括：氧化銦錫、氧化鋅、或摻雜氧化鋅。

13.如權利要求1所述的沉積系統，其中所述真空外殼包括用于將所述這些靶彼此分離開的多個隔離壁。

14.如權利要求1所述的沉積系統，進一步包括：

至少一個卷軸或卷，配置為以一個垂直定向沿著從所述真空外殼上的輸入端口到所述真空外殼上的輸出端口的第一方向連續移動所述襯底；以及

多個附加工藝模塊，配置為在所述襯底上沉積多種材料蒸汽。

15.一種濺射沉積方法，包括：

用設置在一個真空外殼中的多個濺射靶來濺射一種靶材；并且

通過直接沉積將所述濺射靶材沉積在一個移動經過所述真空外殼的襯底上，同時用一個設置在所述襯底和相鄰濺射靶的間隙空間之間的外部遮蔽件至少部分地阻擋所述濺射靶材間接沉積在所述襯底上。