[發明專利]半導體器件在審
| 申請號： | 201910605331.0 | 申請日： | 2019-07-05 |
| 公開（公告）號： | CN110690288A | 公開（公告）日： | 2020-01-14 |
| 發明（設計）人： | 安國一;趙槿匯;河大元;河承錫 | 申請（專利權）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 | 代理人： | 趙南;張青 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 柵極結構 鐵電材料層 導電連接 柵極間隔 襯底 半導體器件 上表面 柵電極 | ||
1.一種半導體器件，包括：
襯底；
柵極結構，其位于所述襯底上，所述柵極結構包括柵極間隔件和柵電極；以及
第一導電連接組，其位于所述柵極結構上，所述第一導電連接組包括鐵電材料層，
其中，所述鐵電材料層的至少一部分設置在所述柵極間隔件的上表面之上。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，
其中，所述第一導電連接組與所述柵電極接觸。
3.根據權利要求2所述的半導體器件，還包括：
源極/漏極區，其設置在與所述柵極結構的至少一側相鄰的區域上；以及
源極/漏極接觸插塞，其連接到所述源極/漏極區，
其中所述第一導電連接組包括柵極接觸插塞，并且
所述源極/漏極接觸插塞的上表面位于與所述柵極接觸插塞的上表面距離所述襯底的上表面的高度實質上相同的高度處。
4.根據權利要求1所述的半導體器件，
其中所述第一導電連接組包括與所述柵電極接觸的柵極接觸插塞。
5.根據權利要求4所述的半導體器件，
其中所述柵極接觸插塞包括所述鐵電材料層。
6.根據權利要求5所述的半導體器件，
其中，所述柵極接觸插塞還包括阻擋導電層和填充導電層，并且
所述鐵電材料層設置在所述阻擋導電層和所述填充導電層之間。
7.根據權利要求4所述的半導體器件，
其中，所述第一導電連接組還包括第一通孔插塞和第一層間布線，并且
所述第一通孔插塞與所述柵極接觸插塞接觸。
8.根據權利要求7所述的半導體器件，
其中，所述第一導電連接組還包括所述第一層間布線之上的第二通孔插塞和第二層間布線。
9.根據權利要求4所述的半導體器件，
其中，所述第一導電連接組還包括所述柵極接觸插塞上的通孔插塞和層間布線，所述通孔插塞與所述柵極接觸插塞接觸，
所述通孔插塞包括第一填充導電層，并且
所述層間布線包括與所述第一填充導電層連接的第二填充導電層。
10.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：
源極/漏極區，其設置在所述襯底的與所述柵極結構的至少一側相鄰的區域中；以及
第二導電連接組，其連接到所述源極/漏極區，
其中所述第二導電連接組不包含鐵電材料層。
11.一種半導體器件，包括：
襯底；
柵極結構，其包括所述襯底上的柵電極；
源極/漏極區，其設置在所述襯底的與所述柵極結構的至少一側相鄰的區域中；
第一導電連接組，其位于所述柵電極上，所述第一導電連接組連接到所述柵電極并且包括鐵電材料層；以及
第二導電連接組，其連接到所述源極/漏極區并且設置在所述源極/漏極區上，
其中，所述第一導電連接組包括與所述柵電極接觸的柵極接觸插塞，
所述第二導電連接組包括與所述源極/漏極區接觸的源極/漏極接觸插塞，
所述柵極接觸插塞的上表面位于與所述源極/漏極接觸插塞的上表面距離所述襯底的上表面的高度實質上相同的高度處，并且
從所述柵極結構的上表面到所述鐵電材料層的最上表面的高度等于或大于從所述柵極結構的上表面到所述源極/漏極接觸插塞的上表面的高度。
12.根據權利要求11所述的半導體器件，
其中，所述第二導電連接組不包括鐵電材料層。
13.根據權利要求11所述的半導體器件，
其中，所述柵極接觸插塞包括鐵電材料層。
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