[發明專利]發光二極管外延片的制備方法

在審

• 申請號: 201910604905.2
• 申請日: 2019-07-05
• 公開（公告）號: CN110518096A
• 公開（公告）日: 2019-11-29
• 發明（設計）人: 從穎;姚振;胡加輝;李鵬
• 申請（專利權）人: 華燦光電(蘇州)有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/06
• 代理公司: 11138 北京三高永信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 羊淑梅<國際申請>=<國際公布>=<進入

本發明公開了發光二極管外延片的制備方法，屬于發光二極管制作領域。在多量子阱層的InGaN阱層與GaN壘層之間插入包括n個子層的GaN插入層。并控制GaN插入層中與InGaN阱層相接的一個子層的生長溫度大于或等于InGaN阱層的生長溫度，與GaN壘層相接的一個子層的生長溫度小于GaN壘層的生長溫度，低溫可避免GaN插入層在InGaN阱層上生長時，InGaN阱層的表面出現較大的In析出現象，InGaN阱層中In的留存較為均勻，InGaN阱層中In的留存與分布較為均勻，二極管的發光均勻度有提高。析出的In進入GaN插入層而不是GaN壘層，可提高GaN壘層的質量。n個子層的生長溫度沿n個子層的層疊方向逐漸升高，最后發光二極管的整體質量仍較好，發光二極管整體發光均勻度得到提高。

技術領域

本發明涉及發光二極管制作領域，特別涉及一種發光二極管外延片的制備方法。

背景技術

LEDLight Emitting Diode，發光二極管是一種能發光的半導體電子元件。作為一種高效、環保、綠色新型固態照明光源，正在被迅速廣泛地得到應用，如交通信號燈、汽車內外燈、城市景觀照明、手機背光源等，提高芯片發光效率是LED不斷追求的目標。

當前的發光二極管的外延片通常包括襯底及在襯底上依次生長的n型層、多量子阱層及p型層，多量子阱層包括交替層疊的InGaN阱層與GaN壘層。而通常GaN壘層需要在較高的溫度下生長以保證多量子阱層整體的生長質量，GaN壘層以較高的生長溫度在InGaN阱層的表面生長時，在高溫下會使得InGaN阱層的表面析出大量的In到GaN壘層中，GaN壘層的質量受到影響，同時也會出現InGaN阱層中In分布不均，InGaN阱層發光波長不均的情況，最終影響發光二極管的發光效率。

發明內容

本發明實施例提供了發光二極管外延片的制備方法，能夠提高發光二極管的發光效率。所述技術方案如下：

本發明實施例提供了一種發光二極管的外延片的制備方法，所述制備方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長n型層、多量子阱層與p型層，

所述多量子阱層包括多個周期循環的復合結構，每個所述復合結構均包括依次層疊的InGaN阱層、GaN插入層及GaN壘層，所述GaN插入層包括n個子層，其中2≤n且n為整數，所述n個子層依次層疊在所述InGaN阱層上，

與所述InGaN阱層相接的一個子層的生長溫度大于或等于所述InGaN阱層的生長溫度，與所述GaN壘層相接的一個子層的生長溫度小于所述GaN壘層的生長溫度，所述n個子層的生長溫度沿所述n個子層的層疊方向逐漸升高。

可選地，相接的兩個所述子層的生長溫度之差為10～25℃。

可選地，與所述InGaN阱層相接的一個子層的生長溫度與所述InGaN阱層的生長溫度相等。

可選地，所述n個子層的生長厚度沿所述n個子層的層疊方向逐漸減小。

可選地，與所述InGaN阱層相接的一個子層的生長厚度為0.1～0.8nm。

可選地，相接的兩個所述子層的生長厚度之差為0.1～0.3nm。

可選地，所述GaN插入層的生長厚度小于所述InGaN阱層的生長厚度。

可選地，所述GaN插入層的生長厚度為1～2.5nm。

可選地，所述GaN壘層的生長溫度比與所述GaN壘層相接的一個子層的生長溫度高50～100℃。

可選地，2≤n≤5。