[發明專利]發光元件的轉移方法、顯示面板及其制備方法、基板

有效

• 申請號: 201910604664.1
• 申請日: 2019-07-05
• 公開（公告）號: CN110416122B
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 陳柏良;林永富
• 申請（專利權）人: 深超光電(深圳)有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683;H01L27/15;H01L33/48
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 徐麗

1.一種發光元件的轉移方法，其包括以下步驟：

提供一承載基板，其一表面上設置有多個發光元件，每一所述發光元件遠離所述承載基板的一端設置有一第一磁性材料層；

提供一第一電磁平板，所述第一電磁平板上設置有多個吸附位置，對所述第一電磁平板通電，以使每一所述吸附位置磁性吸附來自所述承載基板的一個所述發光元件；

提供一接收基板，所述接收基板包括基底、設于所述基底一側的第二磁性材料層、設于所述第二磁性材料層遠離所述基底的一側的結合層，所述結合層定義有多個接收區域，每一接收區域用于對應接收一個所述發光元件，所述基底遠離所述第二磁性材料層的一側設置有一第二電磁平板；

將所述第一電磁平板的磁性吸附有多個所述發光元件的表面與所述接收基板的設置有多個所述接收區域的表面對置，以使多個所述發光元件和多個所述接收區域為一一對準的；以及

對所述第二電磁平板通電，以使每一所述發光元件的第一磁性材料層和所述第二磁性材料層之間形成磁力，對所述第一電磁平板斷電，以使每一所述發光元件在自身重力和所述磁力的作用下脫離所述第一電磁平板，并對應轉移至所述接收基板的所述接收區域；

其中，所述結合層包括設于所述第二磁性材料層遠離所述基底的一側的薄膜晶體管陣列層以及位于所述薄膜晶體管陣列層遠離所述基底的一側的像素定義層，所述像素定義層具有暴露所述薄膜晶體管陣列層的多個接觸孔，每一接觸孔定義為一個所述接收區域，所述接收基板還包括位于所述第二磁性材料層和所述薄膜晶體管陣列層之間的絕緣層。

2.如權利要求1所述的發光元件的轉移方法，其特征在于，所述第二磁性材料層包括間隔設置的多個磁性材料單元，每一所述磁性材料單元對應至少一個所述接收區域。

3.如權利要求1所述的發光元件的轉移方法，其特征在于，所述第一電磁平板的表面上設置有一絕緣非磁性材料層，所述絕緣非磁性材料層具有暴露所述第一電磁平板的表面的多個通孔，多個所述通孔與多個所述接收區域為一一對應的，每一所述通孔定義為一個所述吸附位置。

4.如權利要求1所述的發光元件的轉移方法，其特征在于，所述發光元件為發光二極管。

5.一種顯示面板的制備方法，其包括以下步驟：

提供一承載基板，其一表面上設置有多個發光元件，每一所述發光元件遠離所述承載基板的一端設置有一第一磁性材料層；

提供一第一電磁平板，所述第一電磁平板上設置有多個吸附位置，對所述第一電磁平板通電，以使每一所述吸附位置通過磁性吸附來自所述承載基板的一個所述發光元件；

提供一接收基板，所述接收基板包括基底、設于所述基底一側的第二磁性材料層、設于所述第二磁性材料層遠離所述基底的一側的結合層，所述結合層定義有多個接收區域，每一接收區域用于對應接收一個所述發光元件，所述基底遠離所述第二磁性材料層的一側設置有第二電磁平板；

將所述第一電磁平板的磁性吸附有多個所述發光元件的表面與所述接收基板的設置有多個所述接收區域的表面對置，以使多個所述發光元件和多個所述接收區域為一一對準的；以及

對所述第二電磁平板通電，以使每一所述發光元件的第一磁性材料層和所述第二磁性材料層之間形成磁力，對所述第一電磁平板斷電，以使每一所述發光元件在自身重力和所述磁力的作用下脫離所述第一電磁平板，并對應轉移至所述接收基板的所述接收區域；

其中，所述結合層包括設于所述第二磁性材料層遠離所述基底的一側的薄膜晶體管陣列層以及位于所述薄膜晶體管陣列層遠離所述基底的一側的像素定義層，所述像素定義層具有暴露所述薄膜晶體管陣列層的多個接觸孔，每一接觸孔定義為一個所述接收區域，所述接收基板還包括位于所述第二磁性材料層和所述薄膜晶體管陣列層之間的絕緣層。

6.如權利要求5所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，所述接收基板還包括位于所述基底和所述第二磁性材料層之間的隔離層。

7.如權利要求5所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，所述第二磁性材料層包括間隔設置的多個磁性材料單元，每一所述磁性材料單元對應至少一個所述接收區域。