[發明專利]基于層狀α-MoO3納米片的夾層結構及其制備方法

在審

• 申請號: 201910604069.8
• 申請日: 2019-07-05
• 公開（公告）號: CN110364622A
• 公開（公告）日: 2019-10-22
• 發明（設計）人: 何軍;王俊俊;王峰
• 申請（專利權）人: 國家納米科學中心
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;B82Y10/00;B82Y30/00
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 錢云

1.一種基于層狀α-MoO₃納米片的夾層結構，其特征在于，包括層狀α-MoO₃納米片、頂電極和底電極，其中所述層狀α-MoO₃納米片為夾芯層，所述頂電極和所述底電極分別位于所述層狀α-MoO₃納米片的上下兩側；

所述層狀α-MoO₃納米片、所述頂電極和所述底電極有重疊的區域，且所述頂電極和所述底電極不直接接觸。

2.根據權利要求1所述的夾層結構，其特征在于，所述層狀α-MoO₃納米片為多層α-MoO₃納米片，厚度范圍為20～70nm。

3.根據權利要求1或2所述的夾層結構，其特征在于，所述頂電極和所述底電極均為金屬電極，優選為鉻金復合層，下層為鉻，上層為金；更優選地，所述頂電極的鉻層厚度為6～10nm，優選為8nm，金層厚度為50～80nm，優選為60nm；所述底電極的鉻層厚度為2～3nm，優選為3nm，金層厚度為15～20nm,優選為20nm；

或者，所述頂電極和所述底電極均為石墨烯電極，優選地，石墨烯層數的選擇范圍為2～10層。

4.權利要求1～3任一項所述的夾層結構的制備方法，其特征在于，包括：利用常壓物理氣相沉積法在基底表面外延生長所述層狀α-MoO₃納米片。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述基底為云母、藍寶石或硅片，優選為云母。

6.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述常壓物理氣相沉積法具體包括：將所述基底和MoO₃粉末分別置于三溫區管式爐的下溫區和上溫區，持續通入氬氣，使所述MoO₃粉末在所述基底的表面外延生長成所述層狀α-MoO₃納米片。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述三溫區管式爐的下溫區溫度為260～300℃，優選為280℃；

和/或，所述三溫區管式爐的中溫區溫度為260～300℃，優選為280℃；

和/或，所述三溫區管式爐的上溫區溫度為750～800℃，優選為780℃。

8.根據權利要求6或7所述的制備方法，其特征在于，所述通入氬氣的流量為50～120sccm，優選為100sccm；

和/或，所述外延生長的時間為10～30min，優選為20min。

9.根據權利要求4～8任一項所述的制備方法，其特征在于，還包括：將所述層狀α-MoO₃納米片轉移到事先制備好的所述底電極上，再在所得層狀α-MoO₃納米片/底電極表面制備所述頂電極；

優選地，通過PMMA轉移和PPC轉移將所述層狀α-MoO₃納米片轉移到事先制備好的所述底電極上。

10.權利要求1～3任一項所述的夾層結構或權利要求4～9任一項所述的制備方法在阻變存儲器中的應用。