[發明專利]芯片封裝體結構的制造方法

在審

• 申請號: 201910603971.8
• 申請日: 2019-07-05
• 公開（公告）號: CN110739229A
• 公開（公告）日: 2020-01-31
• 發明（設計）人: 鄭心圃;陳碩懋;許峯誠;林柏堯
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/488
• 代理公司: 72003 隆天知識產權代理有限公司
• 代理人: 謝強;黃艷

一種芯片封裝體結構的制造方法，包括形成一第一重分布結構于一第一承載基底上。通過一第一導電凸塊將一芯片結構接合至第一表面。形成一第一模塑層于第一重分布結構上。去除第一承載基底。形成一第二導電凸塊于第二表面上。形成一第二重分布結構于一第二承載基底上。將第一重分布結構接合至第三表面。形成一第二模塑層于第二重分布結構上。去除第二承載基底。從第四表面去除第二重分布結構的一部分。形成一第三導電凸塊于第四表面上。

技術領域

本公開實施例涉及一種半導體技術，且特別涉及一種芯片封裝體結構及其制造方法。

背景技術

半導體裝置使用于各種電子應用，例如個人電腦，手機、數字數碼相機以及其他電子設備。通常通過在半導體基底上按序沉積絕緣層或介電層、導電層以及半導體層，并使用光刻工藝及蝕刻工藝圖案化各種材料層，以在其上形成電路部件及元件來制造半導體裝置。

通常許多集成電路制造于半導體芯片上。半導體晶圓可單體分割成芯片。芯片可進行封裝，并且已開發了各種用于封裝的技術。

發明內容

一種芯片封裝體結構的制造方法包括：形成一第一重分布結構于一第一承載基底上，其中第一重分布結構具有一第一表面及一第二表面；通過一第一導電凸塊將一芯片結構接合至第一表面；形成一第一模塑層于第一重分布結構上，且圍繞芯片結構；去除第一承載基底；形成一第二導電凸塊于第二表面上；形成一第二重分布結構于一第二承載基底上，其中第二重分布結構具有一第三表面及相對于第三表面且面向第二承載基底的一第四表面；通過第二導電凸塊將第一重分布結構接合至第三表面；形成一第二模塑層于第二重分布結構上，且圍繞第一模塑層、第一重分布結構以及芯片結構；去除第二承載基底；從第四表面去除第二重分布結構的一部分；以及形成一第三導電凸塊于第四表面上。

一種芯片封裝體結構的制造方法包括：通過一第一導電凸塊將一芯片結構接合至一中介基板，其中中介基板包括一核心層及穿過核心層并電性連接至芯片結構的一導電通孔結構；形成一第一模塑層于中介基板上并圍繞芯片結構；形成一第二導電凸塊于中介層基板上，其中中介基板位于第二導電凸塊與芯片結構之間；形成一重分布結構于承載基底上，其中重分布結構具有一第一表面及一第二表面；通過第二導電凸塊將中介基板接合至第一表面；形成一第二模塑層于重分布結構上并圍繞第一模塑層、中介基板以及芯片結構；去除承載基底；從第二表面去除重分布結構的一部分；以及形成一第三導電凸塊于第二表面上。

一種芯片封裝體結構包括：一第一重分布結構，具有一第一表面及一第二表面，其中第一重分布結構包括一第一接墊及一第二接墊，第一接墊與第一表面相鄰，且第二接墊與第二表面相鄰；一芯片封裝體，通過一第一凸塊接合至第一接墊，其中第一接墊的第一寬度沿遠離芯片封裝體的一第一方向上減小，而第二接墊的一第二寬度沿第一方向上減??；以及一第二導電凸塊位于第二接墊上。

附圖說明

圖1A至圖1G是示出根據一些實施例的不同制造階段的芯片封裝體結構制造方法剖面示意圖。

圖2是示出根據一些實施例的芯片封裝體結構剖面示意圖。

圖3是示出根據一些實施例的芯片封裝體結構剖面示意圖。

圖4A至圖4F是示出根據一些實施例的不同制造階段的芯片封裝體結構制造方法剖面示意圖。

圖5是示出根據一些實施例的芯片封裝體結構剖面示意圖。

圖6是示出根據一些實施例的芯片封裝體結構剖面示意圖。

附圖標記說明：

100 芯片封裝體

200、300、300A、300B、400、500、600、600A、600B 芯片封裝體結構

110、210、250 承載基底

120、220 重分布結構