[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201910603679.6
• 申請日: 2019-07-05
• 公開（公告）號: CN111697065A
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: 一關健太郎;西脅達也;相田喜久夫;大麻浩平
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: H01L29/417
• 分類號: H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 牛玉婷

本發明的實施方式提供一種高性能的半導體裝置。一實施方式的半導體裝置包含半導體層、第1電極、第2電極、第3電極、第4電極、以及第5電極。半導體層具有沿著包含第1軸與第2軸在內的面的第1面。第1電極以及第2電極沿第1軸延伸。第3電極以及第4電極沿第2軸延伸。第5電極位于第1面的上方的第1層中，與第1電極以及第3電極電連接，包含第1部分、第2部分、第3部分以及第4部分。第1部分相交于第1電極以及第2電極。第2部分相交于第1電極以及第2電極，并且在第1端從第1部分獨立。第3部分相交于第3電極以及第4電極。第4部分相交于第3電極以及第4電極，并且在第1端從第3部分獨立。

相關申請

本申請享受以日本專利申請2019－48329號(申請日：2019年3月15日)為基礎申請的優先權。本申請通過參照該基礎申請而包含基礎申請的全部內容。

技術領域

實施方式大體來說涉及半導體裝置。

背景技術

已知有用于功率控制等的縱型的MOSFET(metal oxide semiconductorfieldeffect transistor)的半導體裝置。

發明內容

實施方式提供一種高性能的半導體裝置。

一實施方式的半導體裝置包含半導體層、第1電極、第2電極、第3電極、第4電極、以及第5電極。上述半導體層具有沿著包含第1軸與第2軸在內的面的第1面。上述第1電極以及上述第2電極沿上述第1軸延伸。上述第3電極以及上述第4電極沿上述第2軸延伸。上述第5電極位于上述第1面的上方的第1層中，與上述第1電極以及上述第3電極電連接，包含第1部分、第2部分、第3部分以及第4部分。上述第1部分與上述第1電極以及上述第2電極相交。上述第2部分與上述第1電極以及上述第2電極相交，并且在第1端從上述第1部分獨立。上述第3部分與上述第3電極以及上述第4電極相交。上述第4部分與上述第3電極以及上述第4電極相交，并且在第1端從上述第3部分獨立。

附圖說明

圖1示出第1實施方式的半導體裝置的平面構造。

圖2示出第1實施方式的半導體裝置的平面構造。

圖3示出第1實施方式的半導體裝置的一部分的剖面構造。

圖4示出第1實施方式的半導體裝置的一部分的剖面構造。

圖5示出第1實施方式的半導體裝置的一部分的剖面構造。

圖6示出第1參考用的半導體裝置的平面的構造。

圖7示出第2參考用的半導體裝置的平面的構造。

圖8示出第2實施方式的半導體裝置的平面構造。

圖9示出第2實施方式的半導體裝置的平面構造。

圖10示出第3實施方式的半導體裝置的平面構造。

圖11示出第3實施方式的半導體裝置的平面構造。

圖12示出第4實施方式的半導體裝置的平面構造。

圖13示出第4實施方式的半導體裝置的平面構造。

具體實施方式

以下，參照附圖來敘述實施方式。在以下的描述中，有對具有大致相同的功能以及構成的構成要素賦予相同的附圖標記且省略重復說明的情況。附圖是示意性的，厚度與平面尺寸的關系、各層的厚度的比率等可與現實不同。另外，在附圖相互之間也可以包含相互的尺寸關系、比率不同的部分。另外，只要沒有明確地或顯而易見地排除，則對某一個實施方式的所有描述也適用于對另一實施方式的描述。各實施方式例示用于將該實施方式的技術思想具體化的裝置、方法，實施方式的技術思想不將構成部件的材質、形狀、構造、配置等特定為下述內容。