[發(fā)明專利]一種化學(xué)氣相沉積監(jiān)控系統(tǒng)及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910603330.2 | 申請日: | 2019-07-05 |
| 公開(公告)號: | CN110398205B | 公開(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉勝;翁躍云;雷誠;吳改 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢大學(xué) |
| 主分類號: | G01B11/06 | 分類號: | G01B11/06;G01N21/84 |
| 代理公司: | 武漢科皓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 胡琦旖 |
| 地址: | 430072*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 化學(xué) 沉積 監(jiān)控 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種化學(xué)氣相沉積監(jiān)控系統(tǒng),其特征在于,包括:化學(xué)氣相沉積裝置、光學(xué)成像檢測裝置;
待監(jiān)測的薄膜材料放置于所述化學(xué)氣相沉積裝置內(nèi);
所述光學(xué)成像檢測裝置包括:飛秒脈沖激光器、第一柱面透鏡、第一虛擬成像相位陣列、第一衍射光柵、聚焦組件、脈沖還原組件、單模光纖、光電探測器、高速示波器;
所述聚焦組件包括第一顯微物鏡、第一平凸透鏡、第二平凸透鏡、第一反射鏡;
所述脈沖還原組件包括第二顯微物鏡、第二衍射光柵、第二虛擬成像相位陣列、第二柱面透鏡、第二反射鏡、第三平凸透鏡、第四平凸透鏡;
按光路方向依次設(shè)置所述第一衍射光柵、所述第一平凸透鏡、所述第二平凸透鏡、所述第一反射鏡、所述第一顯微物鏡、所述第二顯微物鏡、所述第二反射鏡、所述第三平凸透鏡、所述第四平凸透鏡、所述第二衍射光柵、所述第二虛擬成像相位陣列、所述第二柱面透鏡;
所述化學(xué)氣相沉積裝置包括:生長腔體、基片臺、第一高透光玻璃、第二高透光玻璃、進氣口、出氣口;
所述第一高透光玻璃、所述第二高透光玻璃、所述進氣口、所述出氣口分別設(shè)置在所述生長腔體上,所述薄膜材料放置在所述基片臺上,并位于所述生長腔體內(nèi);所述第一高透光玻璃位于所述第二平凸透鏡和所述第一反射鏡之間;所述第二高透光玻璃位于所述第二反射鏡和所述第三平凸透鏡之間;
所述飛秒脈沖激光器用于產(chǎn)生飛秒脈沖;所述第一柱面透鏡用于將所述飛秒脈沖壓縮成線形脈沖;所述第一虛擬成像相位陣列用于將所述線形脈沖轉(zhuǎn)換為一維線性像素陣列;所述第一衍射光柵用于分散所述一維線性像素陣列,形成二維照明圖案;所述聚焦組件用于將所述二維照明圖案聚焦在所述薄膜材料上,形成空間編碼脈沖;所述脈沖還原組件用于將所述空間編碼脈沖還原為單脈沖;所述單模光纖用于對所述單脈沖進行時域拉伸;所述光電探測器用于將拉伸后的單脈沖轉(zhuǎn)換為模擬電信號;所述高速示波器用于將所述模擬電信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字電信號;
所述光學(xué)成像檢測裝置實時監(jiān)測所述化學(xué)氣相沉積裝置中所述薄膜材料的生長過程,獲得薄膜表面形貌、厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積監(jiān)控系統(tǒng),其特征在于,所述光學(xué)成像檢測裝置還包括:準(zhǔn)直器;所述準(zhǔn)直器用于將所述單脈沖耦合至所述單模光纖。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積監(jiān)控系統(tǒng),其特征在于,所述光學(xué)成像檢測裝置還包括:計算機;所述計算機用于根據(jù)所述數(shù)字電信號得到數(shù)據(jù)信息,并對所述數(shù)據(jù)信息進行分析、存儲。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積監(jiān)控系統(tǒng),其特征在于,所述第一顯微物鏡、所述第二顯微物鏡分別放置在六軸平移臺上。
5.一種化學(xué)氣相沉積監(jiān)控方法,其特征在于,利用權(quán)利要求1-4中任一項所述的化學(xué)氣相沉積監(jiān)控系統(tǒng)對薄膜材料的生長過程進行實時監(jiān)測;
所述化學(xué)氣相沉積監(jiān)控方法包括以下步驟:
步驟1、薄膜材料生長前,建立樣品數(shù)據(jù)庫,所述樣品數(shù)據(jù)庫包含參考信息;所述參考信息為通過機器學(xué)習(xí)對大量的同類薄膜材料進行分析和分類得出的不同生長參數(shù)和樣品質(zhì)量的關(guān)系;
步驟2、對薄膜材料的生長過程進行實時監(jiān)測,獲得生長狀態(tài)信息,包括薄膜表面形貌、厚度;
步驟3、將所述生長狀態(tài)信息與所述參考信息進行比較,根據(jù)比較結(jié)果判斷所述薄膜材料是否符合生長質(zhì)量要求;若不符合,則實時更改所述薄膜材料的生長參數(shù)。
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