[發(fā)明專(zhuān)利]具有減小的應(yīng)力敏感度的磁阻傳感器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910602979.2
• 申請(qǐng)日: 2019-07-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110690343B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-06-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J·齊默;K·普魯格爾
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H10N50/10
• 分類(lèi)號(hào): H10N50/10;H10N50/85;G01D5/12
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 鄭立柱;張昊

1.一種磁阻傳感器，包括：

晶種層；

覆蓋層；以及

磁性疊層，設(shè)置在所述晶種層和所述覆蓋層之間，所述磁性疊層包括：

第一非磁性層；

第二非磁性層；以及

磁性自由雙層，設(shè)置在所述第一非磁性層和所述第二非磁性層之間，所述磁性自由雙層包括第一磁性自由層，所述第一磁性自由層耦合至第二磁性自由層，其中所述第一磁性自由層耦合至所述第一非磁性層，并且所述第二磁性自由層耦合至所述第二非磁性層，

其中所述第二非磁性層設(shè)置在所述磁性自由雙層與所述晶種層之間、并直接接觸所述磁性自由雙層以及所述晶種層，并且

其中所述第二非磁性層包括非磁性材料，該非磁性材料具有的原子半徑在所述第一磁性自由層和所述第二磁性自由層中的至少一個(gè)的原子半徑的10％以?xún)?nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻傳感器，其中所述非磁性材料選自銅、鎂、銦、鉍、錫和鋅中的一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁阻傳感器，其中所述第一非磁性層包括選自銅、鎂、銦、鉍、錫和鋅中的一種的非磁性材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻傳感器，其中所述第一磁性自由層和所述第二磁性自由層均由選自鈷、鎳、鐵和它們的合金的材料制成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻傳感器，其中所述第一磁性自由層由鈷-鐵(CoFe)制成，并且所述第二磁性自由層由鎳-鐵(NiFe)制成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻傳感器，其中所述磁性疊層還包括：

磁性參考系統(tǒng)，包括固定層和參考層，所述磁性參考系統(tǒng)耦合至所述第一非磁性層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁阻傳感器，其中所述參考層耦合至所述第一非磁性層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻傳感器，其中：

所述第一非磁性層包括非磁性材料，該非磁性材料具有的原子半徑在所述第一磁性自由層和所述第二磁性自由層中的至少一個(gè)的原子半徑的10％以?xún)?nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻傳感器，其中：

所述第二非磁性層包括非磁性材料，該非磁性材料具有的原子半徑在所述第一磁性自由層和所述第二磁性自由層中的至少一個(gè)的原子半徑的5％以?xún)?nèi)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻傳感器，其中：

所述第一非磁性層包括非磁性材料，該非磁性材料具有的原子半徑在所述第一磁性自由層和所述第二磁性自由層中的至少一個(gè)的原子半徑的5％以?xún)?nèi)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻傳感器，其中：

所述第二非磁性層的所述非磁性材料具有的原子半徑在所述第一磁性自由層和所述第二磁性自由層的原子半徑的10％以?xún)?nèi)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的磁阻傳感器，其中所述第一非磁性層的非磁性材料具有的原子半徑在所述第一磁性自由層和所述第二磁性自由層的原子半徑的10％以?xún)?nèi)。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻傳感器，其中所述第一非磁性層具有的厚度不同于所述第二非磁性層的厚度。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻傳感器，其中所述第一磁性自由層和所述第二磁性自由層均被配置為基于撞擊在其上的磁場(chǎng)來(lái)改變其磁化方向。