[發明專利]一種溫差熱電能和光能融合采集電路

有效

• 申請號: 201910601792.0
• 申請日: 2019-07-05
• 公開（公告）號: CN110336463B
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 夏銀水;鄭翰澤
• 申請（專利權）人: 寧波大學
• 主分類號: H02M3/158
• 分類號: H02M3/158;H02M3/06;H02J7/32;H02J7/35
• 代理公司: 寧波奧圣專利代理事務所(普通合伙) 33226
• 代理人: 程天鵬

1.一種溫差熱電能和光能融合采集電路，其特征在于包括第一溫差發電片、第二溫差發電片、光能發電模塊、用于控制光能發電模塊工作于最大功率點電壓的最大功率跟蹤模塊、用于產生開關信號的第一信號發生器、采樣保持模塊、電感、第一二極管、第二二極管、第一儲能電容、第二儲能電容、第三儲能電容、第四儲能電容、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和負載，所述的采樣保持模塊包括第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一電容、第二電容和第二信號發生器，所述的第一溫差發電片的正端、所述的第一儲能電容的一端及所述的第一二極管的正極連接，所述的第一二極管的負極、所述的電感的一端及所述的第二NMOS管的源極連接，所述的電感的另一端、所述的第三NMOS管的漏極及所述的第二二極管的正極連接，所述的第二二極管的負極、所述的第四儲能電容的一端及所述的負載的一端連接，所述的第一信號發生器的輸出端、所述的第一NMOS管的柵極及所述的第五NMOS管的柵極連接，所述的光能發電模塊的正端、所述的第一NMOS管的漏極及所述的第四NMOS管的漏極連接，所述的第四NMOS管的源極、所述的第五NMOS管的漏極、所述的第二電容的一端及所述的最大功率跟蹤模塊的負輸入端連接，所述的最大功率跟蹤模塊的輸出端、所述的第二NMOS管的柵極及所述的第三NMOS管的柵極連接，所述的第一NMOS管的源極、所述的第二NMOS管的漏極、所述的第二儲能電容的一端及所述的最大功率跟蹤模塊的正輸入端連接，所述的第三NMOS管的源極、所述的第三儲能電容的一端及所述的第二溫差發電片的負端連接，所述的第二信號發生器、所述的第六NMOS管的柵極及所述的第四NMOS管的柵極連接，所述的第六NMOS管的漏極、所述的第五NMOS管的源極及所述的第一電容的一端連接，所述的第一溫差發電片的負端、所述的第一儲能電容的另一端、所述的第六NMOS管的源極、所述的第一電容的另一端、所述的第二電容的另一端、所述的光能發電模塊的負端、所述的第二儲能電容的另一端、所述的第三儲能電容的另一端、所述的第二溫差發電片的正端、所述的第四儲能電容的另一端及所述的負載的另一端均接地。

2.根據權利要求1所述的一種溫差熱電能和光能融合采集電路，其特征在于所述的最大功率跟蹤模塊包括比較器、第一電阻和第二電阻，所述的比較器的負輸入端與所述的第四NMOS管的源極連接，所述的第一電阻的一端與所述的第一NMOS管的源極連接，所述的第一電阻的另一端、所述的第二電阻的一端及所述的比較器的正輸入端連接，所述的第二電阻的另一端、所述的比較器的輸出端及所述的第二NMOS管的柵極連接。