[發(fā)明專(zhuān)利]射頻電極組件和等離子體處理設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910600861.6
• 申請(qǐng)日: 2019-07-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111326390B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-09-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳龍保;梁潔;王偉娜;涂樂(lè)義
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01J37/32
• 分類(lèi)號(hào): H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 黨麗

一種用于等離子體處理設(shè)備的射頻電極組件和等離子體處理設(shè)備，其中，用于等離子體處理設(shè)備的射頻電極組件包括：基座，基座內(nèi)設(shè)置有第一流體通道，第一流體通道連接第一流體源；位于基座上的靜電夾盤(pán)；位于靜電夾盤(pán)外圍的聚焦環(huán)；位于基座周?chē)臒醾鲗?dǎo)環(huán)，熱傳導(dǎo)環(huán)至少部分包圍基座，熱傳導(dǎo)環(huán)位于聚焦環(huán)下方，熱傳導(dǎo)環(huán)內(nèi)設(shè)置有第二流體通道，第二流體通道連接第二流體源，熱傳導(dǎo)環(huán)與聚焦環(huán)之間能夠進(jìn)行熱傳導(dǎo)。所述等離子體處理設(shè)備能夠?qū)Υ幚砘吘墔^(qū)域聚合物的分布進(jìn)行調(diào)節(jié)。

本申請(qǐng)要求于2018年12月17日提交中國(guó)專(zhuān)利局、申請(qǐng)?zhí)枮?01811543565.9、發(fā)明名稱(chēng)為“射頻電極組件、等離子體處理裝置”的中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用結(jié)合在本申請(qǐng)中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于等離子體處理設(shè)備的射頻電極組件和等離子體處理設(shè)備。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，經(jīng)常需要對(duì)待處理基片進(jìn)行等離子體處理。所述對(duì)待處理基片進(jìn)行等離子體處理的過(guò)程需要在等離子體處理設(shè)備內(nèi)進(jìn)行。

等離子體處理設(shè)備包括真空反應(yīng)腔，所述真空反應(yīng)腔內(nèi)設(shè)置有用于承載待處理基片的承載臺(tái)，所述承載臺(tái)通常包括基座以及設(shè)置在基座上方用于固定基片的靜電夾盤(pán)。

然而，現(xiàn)有的等離子體處理設(shè)備難以調(diào)節(jié)待處理基片邊緣區(qū)域的聚合物分布。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種用于等離子體處理設(shè)備的射頻電極組件和等離子體處理設(shè)備，所述等離子體處理設(shè)備能夠?qū)Υ幚砘吘墔^(qū)域聚合物分布進(jìn)行調(diào)節(jié)。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種用于等離子體處理設(shè)備的射頻電極組件，包括：基座，所述基座內(nèi)設(shè)置有第一流體通道，所述第一流體通道連接第一流體源；位于所述基座上的靜電夾盤(pán)，所述靜電夾盤(pán)上用于放置待處理基片；位于所述靜電夾盤(pán)外圍的聚焦環(huán)；位于所述基座周?chē)臒醾鲗?dǎo)環(huán)，且所述熱傳導(dǎo)環(huán)至少部分包圍基座，所述熱傳導(dǎo)環(huán)位于所述聚焦環(huán)下方，所述熱傳導(dǎo)環(huán)內(nèi)設(shè)置有第二流體通道，所述第二流體通道連接第二流體源，所述熱傳導(dǎo)環(huán)與所述聚焦環(huán)之間能夠進(jìn)行熱傳導(dǎo)。

可選地，所述熱傳導(dǎo)環(huán)與基座之間具有間隙。

可選地，所述間隙的寬度大于或者等于0.5毫米。

可選地，所述間隙內(nèi)填充有隔熱材料層；所述隔熱材料層的材料包括：特氟龍或聚醚酰亞胺或聚醚醚酮或聚酰亞胺。

可選地，還包括：位于所述聚焦環(huán)與所述熱傳導(dǎo)環(huán)之間的導(dǎo)熱耦合環(huán)；位于所述導(dǎo)熱耦合環(huán)與所述熱傳導(dǎo)環(huán)之間的導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)；包圍所述熱傳導(dǎo)環(huán)的底部接地環(huán)；位于所述底部接地環(huán)與所述熱傳導(dǎo)環(huán)之間的絕緣環(huán)，所述絕緣環(huán)圍繞所述熱傳導(dǎo)環(huán)。

可選地，所述導(dǎo)熱耦合環(huán)的材料包括：氧化鋁或者石英。

可選地，還包括：位于基座下方的底部平板。

可選地，所述底部平板與熱傳導(dǎo)環(huán)之間相互連接，或者，所述底部平板與熱傳導(dǎo)環(huán)之間相互分立。

可選地，所述第二流體通道沿周向依次包括N個(gè)區(qū)，N是大于等于1的自然數(shù)，第二流體通道的第一區(qū)連接流體輸入口，第二流體通道的第N區(qū)連接流體輸出口，所述第二流體源由流體輸入口進(jìn)入第二流體通道，從流體輸出口流出第二流體通道；所述靜電夾盤(pán)包括第一承載面，所述第一承載面用于承載待處理基片。

可選地，沿垂直于所述第一承載面的方向上，第二流體通道每個(gè)區(qū)的尺寸相等；第二流體通道每個(gè)區(qū)頂部到聚焦環(huán)底部的距離均相等。

可選地，沿垂直于所述第一承載面的方向上，第二流體通道的每個(gè)區(qū)尺寸相等，第二流體通道第一區(qū)至第二流體通道第N區(qū)頂部至聚焦環(huán)底部的距離依次減小。