[發(fā)明專利]大氣常壓低溫等離子體鍍制抗刮疏水層的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910599547.0
• 申請(qǐng)日: 2019-07-02
• 公開（公告）號(hào): CN112111712A
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林永森
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 逢甲大學(xué)
• 主分類號(hào): C23C14/32
• 分類號(hào): C23C14/32;C23C14/12;C23C14/02
• 代理公司: 北京匯信合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11335
• 代理人: 薛永謙

1.一種大氣常壓低溫等離子體鍍制抗刮疏水層的方法，其特征在于，其步驟包含：

將一物體表面以大氣常壓低溫等離子體進(jìn)行表面預(yù)處理，預(yù)處理使用的該等離子體以通入0.11-10MPa壓縮空氣、等離子體頭至該物體表面距離為0.1-10cm、該物體表面相對(duì)于該等離子體頭的移動(dòng)速度為≧0.01cm/s、工作時(shí)間為≧1s、功率為5-5000watts、頻率為5-5000kHz進(jìn)行；

通入0.11-10MPa的一壓縮空氣于一等離子體頭中，通過該等離子體頭的該壓縮空氣經(jīng)常壓等離子體源產(chǎn)生等離子體噴流，并通入一有機(jī)含氟的氣體或液體及/或一有機(jī)含碳硅烷的氣體或液體，使一抗刮疏水層形成于該物體表面，其中：該等離子體頭至該物體表面的距離為0.1-10cm、該物體表面相對(duì)于該等離子體頭的移動(dòng)速度為≧0.01cm/s、沉積時(shí)間為≧1s、功率為5-5000watts、頻率為5-5000kHz；以及

將沉積該抗刮疏水層的該物體表面以大氣常壓低溫等離子體或烤箱烘烤進(jìn)行后處理加工。

2.如權(quán)利要求1所述的大氣常壓低溫等離子體鍍制抗刮疏水層的方法，其特征在于，該物體表面包含金屬或碳纖維板片材。

3.如權(quán)利要求2所述的大氣常壓低溫等離子體鍍制抗刮疏水層的方法，其特征在于，該金屬包含鋁。

4.如權(quán)利要求1所述的大氣常壓低溫等離子體鍍制抗刮疏水層的方法，其特征在于，該有機(jī)含氟的氣體或液體包含有機(jī)含氟氣態(tài)單體或溶液態(tài)單體。

5.如權(quán)利要求1所述的大氣常壓低溫等離子體鍍制抗刮疏水層的方法，其特征在于，該有機(jī)含碳硅烷的氣體或液體進(jìn)一步包含氧為有機(jī)含碳硅氧烷的氣體或液體。

6.如權(quán)利要求4所述的大氣常壓低溫等離子體鍍制抗刮疏水層的方法，其特征在于，該溶液態(tài)單體為氟素溶劑及全氟聚醚硅化合物所形成的溶液。

7.如權(quán)利要求1所述的大氣常壓低溫等離子體鍍制抗刮疏水層的方法，其特征在于，該壓縮空氣通入該等離子體頭前，預(yù)先一步去除其所含濕氣水分。

8.如權(quán)利要求1所述的大氣常壓低溫等離子體鍍制抗刮疏水層的方法，其特征在于，沉積該抗刮疏水層時(shí)該等離子體頭與該物體表面的距離為0.1-10cm。

9.如權(quán)利要求1所述的大氣常壓低溫等離子體鍍制抗刮疏水層的方法，其特征在于，該大氣常壓低溫等離子體后加工處理包含通入0.11-10MPa的該壓縮空氣、等離子體頭至該物體表面距離為0.1-10cm、該物體表面相對(duì)于該等離子體頭的移動(dòng)速度為≧0.01cm/s、工作時(shí)間為≧1s、功率為5-5000watts、頻率為5-5000kHz。

10.如權(quán)利要求1所述的大氣常壓低溫等離子體鍍制抗刮疏水層的方法，其特征在于，該烤箱烘烤后處理以溫度≧50℃下以及時(shí)間≧0.5分鐘進(jìn)行。