[發(fā)明專利]顯示基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910596302.2 | 申請日: | 2019-07-03 |
| 公開(公告)號: | CN110299369B | 公開(公告)日: | 2021-11-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 占建英;張慧文;張亮 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥京東方顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京安信方達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262 | 代理人: | 曲鵬;解婷婷 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板的制備方法,其特征在于,包括:
通過二次交聯(lián)固化形成嵌設(shè)有強(qiáng)化層的柔性基底;所述柔性基底的材料包括聚酰亞胺,所述強(qiáng)化層的材料包括與所述聚酰亞胺完全全部交聯(lián)且融為一體的氧化石墨烯/聚酰亞胺復(fù)合薄膜或改性氧化石墨烯/聚酰亞胺復(fù)合薄膜;所述通過二次交聯(lián)固化形成嵌設(shè)有強(qiáng)化層的柔性基底,包括:在玻璃載板上形成未完全交聯(lián)的柔性薄膜;在所述未完全交聯(lián)的柔性薄膜上開設(shè)凹槽;在所述凹槽內(nèi)形成未完全交聯(lián)的強(qiáng)化薄膜;通過二次固化處理,使所述未完全交聯(lián)的柔性薄膜和未完全交聯(lián)的強(qiáng)化薄膜完全交聯(lián),同時二次固化過程使柔性薄膜與強(qiáng)化薄膜的接觸邊界處發(fā)生交聯(lián)反應(yīng),使凹槽中的強(qiáng)化薄膜與柔性薄膜融為一體,形成嵌設(shè)有強(qiáng)化層的柔性基底;
其中,通過控制聚酰亞胺熱的固化溫度來控制聚酰亞胺薄膜的交聯(lián)程度,所述未完全交聯(lián)的柔性薄膜包括交聯(lián)程度為50%-80%的聚酰亞胺薄膜,所述未完全交聯(lián)的強(qiáng)化薄膜包括交聯(lián)程度為50%-80%的氧化石墨烯/聚酰亞胺復(fù)合薄膜或交聯(lián)程度為50%-80%的改性氧化石墨烯/聚酰亞胺復(fù)合薄膜;
在所述柔性基底上形成薄膜晶體管,使所述強(qiáng)化層的位置與薄膜晶體管溝道區(qū)的位置相對應(yīng),以提高薄膜晶體管溝道區(qū)的抗形變能力。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,
所述凹槽的深度為所述未完全交聯(lián)的柔性薄膜厚度的30%~50%;
所述未完全交聯(lián)的強(qiáng)化薄膜的表面與所述未完全交聯(lián)的柔性薄膜的表面平齊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述氧化石墨烯/聚酰亞胺復(fù)合薄膜中,所述氧化石墨烯的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3%~7%;所述改性氧化石墨烯/聚酰亞胺復(fù)合薄膜中,所述改性氧化石墨烯的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.5%~1.5%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述固化處理包括:在200℃~350℃高溫烘箱中恒溫處理1.5小時~2.5小時。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,
在所述未完全交聯(lián)的柔性薄膜上開設(shè)凹槽,包括:在所述未完全交聯(lián)的柔性薄膜上涂覆一層負(fù)性光刻膠,通過曝光、顯影形成負(fù)性光刻膠圖案,采用干刻方式刻蝕未被負(fù)性光刻膠圖案覆蓋的所述未完全交聯(lián)的柔性薄膜,在所述未完全交聯(lián)的柔性薄膜上形成凹槽,所述凹槽的深度為所述未完全交聯(lián)的柔性薄膜厚度的30%~50%;
在所述凹槽內(nèi)形成未完全交聯(lián)的強(qiáng)化薄膜,包括:涂覆氧化石墨烯/聚酰胺酸溶液或改性氧化石墨烯/聚酰胺酸溶液,形成未完全交聯(lián)的氧化石墨烯/聚酰亞胺復(fù)合薄膜或未完全交聯(lián)的改性氧化石墨烯/聚酰亞胺復(fù)合薄膜,所述未完全交聯(lián)的氧化石墨烯/聚酰亞胺復(fù)合薄膜或未完全交聯(lián)的改性氧化石墨烯/聚酰亞胺復(fù)合薄膜完全填充所述凹槽;采用化學(xué)機(jī)械平坦化工藝進(jìn)行研磨,只保留所述凹槽中的未完全交聯(lián)的氧化石墨烯/聚酰亞胺復(fù)合薄膜或未完全交聯(lián)的改性氧化石墨烯/聚酰亞胺復(fù)合薄膜,在所述凹槽內(nèi)形成未完全交聯(lián)的氧化石墨烯/聚酰亞胺復(fù)合薄膜或未完全交聯(lián)的改性氧化石墨烯/聚酰亞胺復(fù)合薄膜,所述未完全交聯(lián)的氧化石墨烯/聚酰亞胺復(fù)合薄膜或未完全交聯(lián)的改性氧化石墨烯/聚酰亞胺復(fù)合薄膜的表面與所述未完全交聯(lián)的柔性薄膜的表面平齊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5任一所述的制備方法,其特征在于,所述強(qiáng)化層在所述柔性基底上的正投影包含所述薄膜晶體管的有源層在所述柔性基底上的正投影。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~5任一所述的制備方法,其特征在于,在所述柔性基底上形成薄膜晶體管,包括:在所述柔性基底上形成低溫多晶硅薄膜晶體管。
8.一種采用如權(quán)利要求1~7任一所述制備方法制備的顯示基板,其特征在于,包括柔性基底以及設(shè)置在所述柔性基底上的薄膜晶體管,所述柔性基底上嵌設(shè)有強(qiáng)化層,所述強(qiáng)化層的位置與薄膜晶體管溝道區(qū)的位置相對應(yīng),用于提高薄膜晶體管溝道區(qū)的抗形變能力。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





