[發(fā)明專利]一種基于核殼結(jié)構(gòu)的MCHS@二硫化鉬納米復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910595891.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-07-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110357161B | 公開(公告)日: | 2021-09-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙燕芳;陳相峰;謝含儀;徐桂菊;趙梅;李慧娟;劉蘭畦 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 山東省分析測(cè)試中心 |
| 主分類號(hào): | C01G39/06 | 分類號(hào): | C01G39/06;C01B32/05;G01N27/626;B82Y30/00;B82Y15/00 |
| 代理公司: | 濟(jì)南圣達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37221 | 代理人: | 張曉鵬 |
| 地址: | 250014 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 結(jié)構(gòu) mchs 二硫化鉬 納米 復(fù)合材料 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明涉及一種基于核殼結(jié)構(gòu)的MCHS@二硫化鉬納米復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用。以中空碳球?yàn)楹耍琈oS2為殼的結(jié)構(gòu),MoS2負(fù)載在中空碳球的外表面,中空碳球的平均直徑為300nm,MoS2為二維片層花狀結(jié)構(gòu),MoS2殼層的比表面為550?570 m2/g,MoS2殼層的孔徑平均為3nm,MCHS@MoS2基質(zhì)材料的平均直徑為330?350nm。在基質(zhì)輔助激光脫附/電離飛行時(shí)間質(zhì)譜檢測(cè)中的應(yīng)用,相比于有機(jī)基質(zhì)對(duì)小分子具有較高的靈敏度、較低的背景干擾和較高的重現(xiàn)性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于金屬材料制備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于核殼結(jié)構(gòu)的MCHS@MoS2納米復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用。
背景技術(shù)
公開該背景技術(shù)部分的信息僅僅旨在增加對(duì)本發(fā)明的總體背景的理解,而不必然被視為承認(rèn)或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已經(jīng)成為本領(lǐng)域一般技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù)。
質(zhì)輔助激光脫附/電離飛行時(shí)間質(zhì)譜(MALDI-TOF MS)已成為生物化學(xué)分析、蛋白質(zhì)組學(xué)研究和合成高分子材料的一項(xiàng)重要技術(shù)。發(fā)明人發(fā)現(xiàn),雖然科研工作者付出了很大努力,低分子量化合物的分析(m / z 500Da),MALDI-TOF在使用常規(guī)有機(jī)基質(zhì)(2 5-dihydroxybenzoic酸(DHB) sinapinic酸(SA)和α-cyano-4-hydroxycinnamic酸,HCCA)仍然是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn),因?yàn)檫@些有機(jī)基質(zhì)會(huì)干擾低分子量的測(cè)定。此外,有機(jī)基質(zhì)對(duì)分析物的非均勻共結(jié)晶有影響,會(huì)導(dǎo)致較低的重現(xiàn)性。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題,本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種基于核殼結(jié)構(gòu)的MCHS@二硫化鉬納米復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用。
為了解決以上技術(shù)問題,本發(fā)明的技術(shù)方案為:
第一方面,一種基于核殼結(jié)構(gòu)的MCHS@MoS2納米復(fù)合材料,以中空碳球(MCHS)為核,MoS2為殼的結(jié)構(gòu),MoS2負(fù)載在中空碳球的外表面,中空碳球的平均直徑為300nm,MoS2為二維片層花狀結(jié)構(gòu),MoS2殼層的比表面積為550-570 m2/g,MoS2殼層的孔徑平均為3nm,MCHS@MoS2基質(zhì)材料的平均直徑為330-350nm。
MoS2是一種二維的類石墨烯的薄原子層的納米材料,在納米電化學(xué)、光電、能源方面有很大的應(yīng)用前景。同樣,碳納米材料是黑色粉末,在紫外區(qū)也有吸收。由于其類石墨結(jié)構(gòu),有較好的導(dǎo)電性,較好的熱穩(wěn)定性,較高的能量轉(zhuǎn)移效率,MoS2的比表面積和導(dǎo)電性,結(jié)合中空碳球的高導(dǎo)電性、大比表面積的特點(diǎn),中空碳球能夠極大的提高M(jìn)oS2性能。
第二方面,上述MCHS@MoS2納米復(fù)合材料的制備方法,所述方法包括,
配制乙醇、水和氨水的混合溶液A,原硅酸四乙酯加入到混合溶液A中,再加入苯二酚和甲醛,反應(yīng)離心得到SiO2@ SiO2/RF前驅(qū)體,前驅(qū)體洗滌干燥后,碳化反應(yīng),利用氫氟酸腐蝕碳化后的模板,得到MCHS;
制備鉬酸銨和硫脲的混合液B,將中空碳球加入到混合液B中,進(jìn)行水熱反應(yīng),反應(yīng)后離心、洗滌、干燥得到MCHS@MoS2基質(zhì)材料。
MoS2可以直接大量合成,在不加表面活性的條件下,可以直接將MoS2分散在水中,通過水熱反應(yīng),使MoS2均勻的分布在中空碳球的表面。基于多孔中空碳球和MoS2的優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明首次用原位生長(zhǎng)的方法合成了核殼結(jié)構(gòu)的MCHS@MoS2納米復(fù)合材料。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于山東省分析測(cè)試中心,未經(jīng)山東省分析測(cè)試中心許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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