[發(fā)明專利]基于反射系數(shù)分析的低阻體解釋及成像方法與系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910595005.6
• 申請日: 2019-07-03
• 公開（公告）號: CN110333543B
• 公開（公告）日: 2020-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蘇茂鑫;王鵬;薛翊國;趙瑩;劉軼民;邱道宏;趙友超
• 申請（專利權(quán)）人: 山東大學
• 主分類號: G01V3/38
• 分類號: G01V3/38;G01V3/08
• 代理公司: 濟南圣達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37221
• 代理人: 李琳

1.一種基于反射系數(shù)分析的低阻體解釋及成像方法，其特征是：包括以下步驟：

模擬待分析的地層條件，采用多種電極排列方式，設(shè)置相匹配的測線長度和電極距離，建立地層模型，并采集待測區(qū)域電法勘探數(shù)據(jù)；

對探測數(shù)據(jù)進行反演，對反演所得原始數(shù)據(jù)進行精細網(wǎng)格化并采用克里金法插值，將網(wǎng)格數(shù)據(jù)進行成像，提取低阻體中心位置縱向上網(wǎng)格節(jié)點的坐標值和電阻率值；計算提取數(shù)據(jù)的反射系數(shù)并將其歸一化，初步建立放大指數(shù)n與深度值H的函數(shù)n＝f(H)，計算反射系數(shù)的放大指數(shù)次方作為影響值，繪制影響值與深度值H的關(guān)系曲線Kⁿ-H，根據(jù)關(guān)系曲線的波形以及峰值所在的深度坐標，對比原始模型數(shù)據(jù)，修正所述函數(shù)n＝f(H)；

調(diào)整模型參數(shù)，重復(fù)上述步驟，直至所述關(guān)系曲線表示出地層中低阻體界面的深度值。

2.如權(quán)利要求1所述的一種基于反射系數(shù)分析的低阻體解釋及成像方法，其特征是：建立地層模型之前，需要確定地層電阻率值、電阻率變化情況，低阻區(qū)域規(guī)模、位置及數(shù)量。

3.如權(quán)利要求1所述的一種基于反射系數(shù)分析的低阻體解釋及成像方法，其特征是：多種電極排列方式包括溫納排列、偶極排列和施倫貝謝爾排列三種電極排列方式，對同一地層模型采集多組探測數(shù)據(jù)。

4.如權(quán)利要求1所述的一種基于反射系數(shù)分析的低阻體解釋及成像方法，其特征是：采用最小二乘法對探測數(shù)據(jù)進行反演；

或，精細網(wǎng)格化時，對反演所得數(shù)據(jù)的網(wǎng)格化的精細程度為1/100-1/15。

5.如權(quán)利要求1所述的一種基于反射系數(shù)分析的低阻體解釋及成像方法，其特征是：提取低阻體中心位置縱向上網(wǎng)格節(jié)點的坐標值和電阻率值時，在低阻區(qū)域中心位置及其兩側(cè)各取多條縱向線上的數(shù)據(jù)。

6.如權(quán)利要求1所述的一種基于反射系數(shù)分析的低阻體解釋及成像方法，其特征是：反射系數(shù)進行歸一化，得數(shù)據(jù)集K，再根據(jù)特定地層條件下的低阻體界面深度值H與Kⁿ-H曲線特征點的對應(yīng)和偏移關(guān)系選擇合適的擬合函數(shù)n＝f(H)。

7.如權(quán)利要求1所述的一種基于反射系數(shù)分析的低阻體解釋及成像方法，其特征是：根據(jù)關(guān)系曲線的波形以及峰值所在的深度坐標，對比原始模型數(shù)據(jù)，總結(jié)所述關(guān)系曲線中界面深度值與曲線峰值深度值的誤差，并進行修正；

或，依據(jù)模型的變量進行多次調(diào)整并修正擬合函數(shù)n＝f(H)，從而確定該待分析的地層條件下能準確識別低阻體的電阻率法解釋和成像模型。

8.一種基于反射系數(shù)分析的低阻體解釋及成像系統(tǒng)，其特征是：包括：

模型構(gòu)建模塊，被配置為模擬待分析的地層條件，采用多種電極排列方式，設(shè)置相匹配的測線長度和電極距離，建立地層模型，并采集待測區(qū)域電法勘探數(shù)據(jù)；

網(wǎng)格化模塊，被配置為對探測數(shù)據(jù)進行反演，對反演所得原始數(shù)據(jù)進行精細網(wǎng)格化并采用克里金法插值，將網(wǎng)格數(shù)據(jù)進行成像，提取低阻體中心位置縱向上網(wǎng)格節(jié)點的坐標值和電阻率值；

計算修正模塊，被配置為計算提取數(shù)據(jù)的反射系數(shù)并將其歸一化，初步建立放大指數(shù)n與深度值H的函數(shù)n＝f(H)，計算反射系數(shù)的放大指數(shù)次方作為影響值，繪制影響值與深度值H的關(guān)系曲線Kⁿ-H，根據(jù)關(guān)系曲線的波形以及峰值所在的深度坐標，對比原始模型數(shù)據(jù)，修正所述函數(shù)n＝f(H)；

調(diào)整模塊，被配置為調(diào)整模型參數(shù)，直至所述關(guān)系曲線表示出地層中低阻體界面的深度值。

9.一種計算機可讀存儲介質(zhì)，其特征是：其中存儲有多條指令，所述指令適于由終端設(shè)備的處理器加載并執(zhí)行權(quán)利要求1-7中任一項所述的一種基于反射系數(shù)分析的低阻體解釋及成像方法。

10.一種終端設(shè)備，其特征是：包括處理器和計算機可讀存儲介質(zhì)，處理器用于實現(xiàn)各指令；計算機可讀存儲介質(zhì)用于存儲多條指令，所述指令適于由處理器加載并執(zhí)行權(quán)利要求1-7中任一項所述的一種基于反射系數(shù)分析的低阻體解釋及成像方法。