[發明專利]一種原位模擬低礦化度水驅過程的方法

有效

• 申請號: 201910594802.2
• 申請日: 2019-07-03
• 公開（公告）號: CN112179982B
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發明（設計）人: 劉芳慧;楊惠;張珊美玉;樊明紅;張威;陳海波;陳睿;王金本
• 申請（專利權）人: 中國科學院化學研究所
• 主分類號: G01N29/02
• 分類號: G01N29/02;G01N29/036
• 代理公司: 北京元中知識產權代理有限責任公司 11223
• 代理人: 馮娟

1.一種原位模擬低礦化度水驅過程的方法，其特征在于，準備模擬油相、模擬巖石相和模擬水相，構建油/水/巖石三相系統模型；利用耗散型石英晶體微天平實時監測記錄所述模擬油相在所述模擬巖石相的表面的吸附過程和所述模擬油相自所述模擬巖石相的表面脫附過程的對應參數信息；

所述模擬油相選自模型化合物C5Pe或Bisa或TP或PAP，所述C5Pe的結構如下：

所述Bisa的結構如下：

所述TP的結構如下：

所述PAP的結構如下：

2.根據權利要求1所述的原位模擬低礦化度水驅過程的方法，其特征在于，所述模擬水相為離子水溶液。

3.根據權利要求1所述的原位模擬低礦化度水驅過程的方法，其特征在于，所述模擬巖石相包括作為基底的QCM-D SiO₂芯片或表面鍍有金屬層的芯片。

4.根據權利要求3所述的原位模擬低礦化度水驅過程的方法，其特征在于，將所述的QCM-D SiO₂芯片或表面鍍有金屬層的芯片經功能分子改性修飾得到表面潤濕性不同的模擬巖石相，實時監測記錄所述模擬油相在不同模擬巖石相上的吸附過程或脫附過程的對應參數信息。

5.根據權利要求4所述的原位模擬低礦化度水驅過程的方法，其特征在于，所述功能分子與QCM-D SiO₂芯片表面的Si-OH鍵通過硅烷化反應形成單分子吸附層，得到疏水基底。

6.根據權利要求1所述的原位模擬低礦化度水驅過程的方法，其特征在于，包括下列步驟：

S1，準備模擬水相、模擬油相；

S2，改性修飾模擬巖石相的基底，分別得到表面潤濕性不同的基底；

S3，利用耗散型石英晶體微天平分別檢測記錄所述模擬油相在表面潤濕性不同的基底表面的吸附過程和脫附過程中的震動頻率隨時間變化的曲線。

7.根據權利要求6所述的原位模擬低礦化度水驅過程的方法，其特征在于，所述步驟S1中制備離子濃度不同濃度的模擬水相，所述步驟S3分別檢測記錄所述模擬油相在所述的不同模擬水相作用下在表面潤濕性不同的基底表面的吸附過程和脫附過程中的震動頻率隨時間變化的曲線。

8.根據權利要求6所述的原位模擬低礦化度水驅過程的方法，其特征在于，所述步驟S2中，模擬巖石相包括作為基底的QCM-D SiO₂芯片，用乙醇和水清洗后，進行plasma處理，得到表面富有-OH的親水基底；

將親水基底浸泡于十八烷基三氯硅烷氯仿溶液中，取出后用氯仿超聲清洗，干燥得到表面帶有-CH₃的疏水基底。

9.根據權利要求6所述的原位模擬低礦化度水驅過程的方法，其特征在于，模擬原油在基底表面的吸附過程包括：以一定速度通入乙醇作為背景溶液、通入一定濃度的原油模型化合物溶液進行吸附，通入乙醇沖掉基底表面吸附不牢固的分子；

模擬低礦化度水驅的過程包括：分批通入的模擬水相溶液，觀察震動頻率隨時間的變化。