[發(fā)明專利]一種摻雜氮硅化物薄膜鈍化接觸結(jié)構(gòu)的制備方法及其應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910594529.3
• 申請(qǐng)日: 2019-07-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112186067B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾俞衡;葉繼春;廖明墩;閆寶杰;楊清;王志學(xué);郭雪琪;芮哲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0216
• 代理公司: 寧波甬致專利代理有限公司 33228
• 代理人: 張鴻飛

1.一種摻雜氮硅化物薄膜鈍化接觸結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：首先在硅片表面生長(zhǎng)一層氧化硅層，放入PECVD腔室中，然后在所述氧化硅層表面上沉積一層或多層摻雜的氮硅化物薄膜，在所述氮硅化物薄膜的表面上沉積一層或多層摻雜的非晶或多晶硅薄膜，并進(jìn)行780-1100℃的高溫晶化處理，形成隧穿氧化硅鈍化接觸結(jié)構(gòu)，所述氮硅化物薄膜中氮含量為3at％-60at％。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻雜氮硅化物薄膜鈍化接觸結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述氧化硅層的厚度為1.0-3.5nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻雜氮硅化物薄膜鈍化接觸結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述氮硅化物薄膜為摻雜薄膜，摻雜劑是提供電子的磷、砷或提供空穴的硼、鋁、鎵。

4.一種權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的摻雜氮硅化物薄膜鈍化接觸結(jié)構(gòu)的應(yīng)用，其特征在于：用于隧穿氧化硅鈍化接觸晶硅太陽(yáng)電池中。