[發(fā)明專利]NAND閃存的位線與讀出放大器的連接方法以及讀出放大器

有效

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• 申請日: 2019-07-02
• 公開（公告）號: CN110289038B
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發(fā)明（設計）人: 馮一飛;蔡萬方;王志剛
• 申請（專利權）人: 珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司
• 主分類號: G11C16/24
• 分類號: G11C16/24;G11C16/26;G11C7/06;G11C7/18
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227
• 代理人: 王洋

本發(fā)明提供了一種NAND閃存的位線與讀出放大器的連接方法以及讀出放大器，該連接方法應用于讀出放大器。其中，讀出放大器包括高壓器件以及低壓器件，且高壓器件以及低壓器件均包括柵極以及有源區(qū)。具體的，本方法將高壓器件設置在讀出放大器中的第一預設位置，將低壓器件設置在讀出放大器中與第一預設位置相鄰的第二預設位置。然后設置位線為連續(xù)不斷的第二金屬走線，每條位線通過第一過孔與一個高壓器件中柵極電相連，高壓器件中的有源區(qū)通過第二過孔與第一金屬走線的一端電相連，第一金屬走線的另一端通過第三過孔與一個低壓器件的有源區(qū)電相連。即本發(fā)明將高壓器件的有源區(qū)通過第一金屬走線與低壓器件相連，位線無需被切斷，簡化了生產(chǎn)工藝。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體存儲技術領域，具體涉及一種NAND閃存的位線與讀出放大器的連接方法以及讀出放大器。

背景技術

在NAND閃存單元的擦除操作中，陣列阱是高壓偏置的，而位線是懸空的，這就導致位線會被陣列阱上的高壓偏置耦合到高壓，因此在每個讀出放大器中需要高壓器件來分離低壓器件。

通常，將多個高壓器件設置在一起，將多個低壓器件設置在一起，這樣能夠使得高壓器件共用同一個阱，節(jié)省占用空間。然而，上述器件排布方式使得每一條位線都需要被切斷，然后重新連接到一個不同的器件的源極和漏極。而位線切割和重新連接需要特殊的工藝來實現(xiàn)，并需要使用標識層，對位線切割處進行標記，生產(chǎn)工藝較為復雜。

因此，如何提供NAND閃存的位線與讀出放大器的連接方法以及讀出放大器，能夠降低生產(chǎn)工藝的復雜度，是本領域技術人員亟待解決的一大技術難題。

發(fā)明內容

有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種NAND閃存的位線與讀出放大器的連接方法以及讀出放大器，能夠降低生產(chǎn)工藝的復雜度。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例提供如下技術方案：

一種NAND閃存的位線與讀出放大器的連接方法，應用于讀出放大器，所述讀出放大器包括高壓器件以及低壓器件，所述高壓器件以及所述低壓器件均包括柵極以及有源區(qū)，所述有源區(qū)包括源極和漏極，所述連接方法包括：

將所述高壓器件設置在所述讀出放大器中的第一預設位置，將所述低壓器件設置在所述讀出放大器中與所述第一預設位置相鄰的第二預設位置；

設置所述位線為連續(xù)不斷的第二金屬走線，每條所述位線通過第一過孔與一個所述高壓器件中柵極電相連，所述高壓器件中的有源區(qū)通過第二過孔與第一金屬走線的一端電相連，所述第一金屬走線的另一端通過第三過孔與一個所述低壓器件的有源區(qū)電相連。

一種讀出放大器，基于上述的NAND閃存的位線與讀出放大器的連接方法制備，包括：高壓器件以及低壓器件，所述高壓器件以及所述低壓器件均包括柵極以及有源區(qū)，所述有源區(qū)包括源極和漏極；

沿位線的延伸方向，每條所述位線通過第一過孔與一個所述高壓器件的柵極電連接；

所述高壓器件的有源區(qū)通過第二過孔與第一金屬走線的一端電相連；

所述第一金屬走線的另一端通過第三過孔與一個所述低壓器件的有源區(qū)電連接。

可選的，沿所述位線的延伸方向，所述位線為連續(xù)不斷的第二金屬走線。

可選的，所述高壓器件的有源層與所述低壓器件的有源層位于同層；

所述第一金屬走線位于所述有源層遠離所述柵極的一側；

所述位線位于所述柵極遠離所述有源層的一側。

可選的，多個所述高壓器件設置在所述讀出放大器中的第一預設位置，多個所述低壓器件設置在所述讀出放大器中的第二預設位置，所述第一預設位置與所述第二預設位置相鄰。

可選的，所述第一金屬走線的寬度大于所述第二金屬走線的寬度。