[發明專利]一種功率器件襯底背面處理方法及功率器件制備方法

在審

• 申請號: 201910589464.3
• 申請日: 2019-07-02
• 公開（公告）號: CN112185803A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 吳佳蒙;史波;肖婷;曾丹;梁賽嫦
• 申請（專利權）人: 珠海格力電器股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

本發明涉及半導體芯片技術領域，特別涉及一種功率器件襯底背面處理方法及功率器件制備方法。包括：對襯底的背面進行減薄處理；在襯底的背面形成金屬層；在金屬層上淀積形成鎢結構層。上述襯底背面處理方法采用具有強覆蓋力的鎢淀積在襯底背面，有效改善了襯底背面的不平整結構，方便功率器件的封裝貼片；并且，鎢材料具有導電性優良、化學性質穩定、耐熱性強和膨脹系數小的特點，在實現基本的導電功能同時能夠降低襯底氧化風險，保證襯底結構不易變形，進一步提高封裝良率。

技術領域

本發明涉及半導體芯片技術領域，特別涉及一種功率器件襯底背面處理方法及功率器件制備方法。

背景技術

半導體芯片超薄化是技術進步的趨勢，但同時也面臨著技術改進的難題。功率器件可以靠研磨減薄，減薄后的功率器件需要有支撐并且需要在背面引出電極進行封裝。背面金屬的蒸鍍需要解決一些問題，主要是功率器件背面金屬層的附著力、金屬與功率器件背面的應力匹配以及背面金屬的導電性能。隨著功率器件厚度越來越薄，功率器件背面的平整度也愈發重要，背面金屬凹凸不平會對芯片的特性有影響。并且封裝上芯時金屬不平整地方可能會產生氣泡，后續芯片容易脫落，影響可靠性及使用。

發明內容

本發明公開了一種功率器件襯底背面處理方法及功率器件制備方法，用于提高襯底背面平整度以提高封裝良率。

為達到上述目的，本發明提供以下技術方案：

一種功率器件襯底背面處理方法，包括：

對襯底的背面進行減薄處理；

在所述襯底的背面形成金屬層；

在所述金屬層上淀積形成鎢結構層。

上述功率器件襯底背面處理方法采用具有強覆蓋力的鎢淀積在襯底背面，有效改善了襯底背面的不平整結構，方便功率器件的封裝貼片；并且，鎢材料具有導電性優良、化學性質穩定、耐熱性強和膨脹系數小的特點，在實現基本的導電功能同時能夠降低襯底氧化風險，保證襯底結構不易變形，進一步提高封裝良率。

可選地，所述鎢結構層的厚度為

采用氣相沉積法淀積在所述金屬層上淀積所述鎢結構層。

可選地，所述在所述襯底的背面形成金屬層包括：

采用金屬蒸發工藝在所述襯底的背面形成金屬層；

或，采用薄膜淀積工藝在所述襯底的背面形成金屬層；

或，采用金屬濺鍍工藝在所述襯底的背面形成金屬層。

可選地，所述對所述襯底的背面進行減薄處理之前還包括：

在所述襯底的正面貼保護膜。

可選地，在對所述襯底的背面進行減薄處理之后、在所述襯底的背面形成金屬層之前，還包括：

對所述襯底的背面進行離子注入。

可選地，所述金屬層的材質為鈦、鎳、銀中的一種或多種的組合。

可選地，所述襯底的材質為藍寶石或硅。

一種功率器件制備方法，包括：

在襯底的正面制作電路結構；

采用如權上述技術方案提供的任一種所述的處理方法處理所述襯底的背面；

封裝上芯。

附圖說明

圖1為本發明實施例提供的一種功率器件襯底背面處理方法的流程示意圖；

圖2為本發明實施例提供的另一種功率器件襯底背面處理方法的流程示意圖；