[發明專利]一種有機傳輸材料及其制備方法、電致發光器件在審
| 申請號: | 201910588895.8 | 申請日: | 2019-07-02 |
| 公開(公告)號: | CN110272443A | 公開(公告)日: | 2019-09-24 |
| 發明(設計)人: | 王彥杰 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | C07F7/08 | 分類號: | C07F7/08;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 傳輸材料 雜芳香環 電致發光器件 制備 類化合物 烷基 電子傳輸層 電子載流子 空穴傳輸層 空穴載流子 傳輸特性 發光器件 驅動電壓 隨意調節 玻璃化 可連接 芳基 外圍 傳輸 分解 升華 | ||
本發明提供一種有機傳輸材料及其制備方法、電致發光器件,所述有機傳輸材料包括苯并雜芳香環類化合物;本發明提供一種有機傳輸材料及其制備方法、電致發光器件,有機傳輸材料包括苯并雜芳香環類化合物,所述苯并雜芳香環類的化合物的外圍可連接烷基或芳基取代的衍生物,從而可以隨意調節玻璃化溫度、升華溫度、分解溫度;另外,所述苯并雜芳香環類的化合物可以調節電子載流子或空穴載流子的傳輸特性,從而有利于電子傳輸層和空穴傳輸層的傳輸,低的驅動電壓,獲得高的效率,延長發光器件的壽命。
技術領域
本發明涉及顯示領域,尤其涉及一種有機傳輸材料及其制備方法、電致發光器件。
背景技術
有機發光二極管(organic lighting-emitting diodes,OLEDs)由于主動發光、可視角度大、相應速度快、溫度適應范圍寬、驅動電壓低、功耗小、亮度大、生產工藝簡單、輕薄、且可以柔性顯示等優點,表現出巨大的應用前景,吸引了科研工作者和公司的關注。
在OLED器件中,當客體材料作為發光層時,在發光層中產生電子和空穴載流子等極化子、單重態激子和三重態激子。激子與激子之間、激子與極化子之間都會發生相互作用,導致激子和載流子的淬滅損失,且隨著激子和極化子濃度的增加,淬滅程度更加嚴重。其中,客體材料包括純有機發光材料、金屬配合物發光材料。現有技術中,用戶通常會將客體材料摻雜在主體材料中,從而可以降低激子和極化子的濃度淬滅,提高OLED器件的效率和延長OLED器件的壽命。因此,主體材料在OLED器件中起著至關重要的作用。現有技術中,用戶一般采用有機傳輸材料作為主體材料,該有機傳輸材料具有物理特性和電學特性。
關于有機傳輸材料的物理特性,通常與分子的分子量、分子的剛性以及分子中的鍵能有關。一般來說,分子大,剛性大,分子中的鍵能大,分子的熱穩定性就會比較好。在蒸鍍的過程中,有機傳輸材料因溫度的變化,影響分子的熱穩定性,從而導致分子的熱穩定性較差;當單重態能級和三重態能級較低時,能量從主體材料傳遞到客體材料時,容易發生能量回傳或者能量損失,不利于工業制程。
關于有機傳輸材料的電學特性,通常與其最高占有能級(HOMO)、最低未占有能級(LUMO)、電子遷移率以及空穴遷移率有關。有機傳輸材料被應用于OLED器件,當OLED器件不同層間HOMO或LUMO的差值較小,以及電子遷移率與空穴遷移率較為接近時,使得電子載流子和空穴載流子高效的復合,從而提升OLED器件的性能。但是,現有技術中,使得有機傳輸材料具備上述條件的技術比較匱乏,從而影響了電子載流子或空穴載流子傳輸特性。
發明內容
本發明提供一種有機傳輸材料及其制備方法、電致發光器件,以解決現有技術存在的有機傳輸材料的分子熱穩定性不佳、能量容易損失、電子載流子或空穴載流子傳輸特性較差的技術問題。
為實現上述目的,本發明提供一種有機傳輸材料,包括苯并雜芳香環類化合物。
進一步地,所述苯并雜芳香環類化合物的結構通式為所述結構通式中,所述R1、R2、R3、R4均包括氫、C6-C50芳香基、取代C6-C50芳香族烴基以及C6-C50雜芳香基中的任意一種基團;所述R包括C6-C50芳香基、取代C6-C50芳香族烴基、C6-C50雜芳香基、C1-C20烷基中的任意一種基團;所述X為C、Si中的任一種;所述Y為烷基或芳基取代的衍生物。
進一步地,所述苯并雜芳香環類化合物的結構通式為所述結構通式中,所述R1、R2、R3、R4均包括氫、C6-C50芳香基、取代C6-C50芳香族烴基以及C6-C50雜芳香基中的任意一種基團;所述X為O、S中的任一種;所述Y為烷基或芳基取代的衍生物。
進一步地,所述Y的分子結構式為以下分子結構中的一種:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢華星光電半導體顯示技術有限公司,未經武漢華星光電半導體顯示技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910588895.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





