[發(fā)明專利]一種倒裝發(fā)光二極管芯片及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910588755.0
• 申請日: 2019-07-02
• 公開（公告）號: CN110299436B
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發(fā)明（設計）人: 鄔新根;李俊賢;蔡和勛;劉英策;魏振東
• 申請（專利權）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/06;H01L33/22
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 潘穎

1.一種倒裝發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于，包括：

提供透明襯底，所述透明襯底包括相對的生長表面和背表面；

采用隱形切割技術，在所述透明襯底內、且距離所述生長表面預設距離處整面燒蝕孔洞形成變質層；

在所述生長表面一側形成倒裝發(fā)光結構陣列；

自所述背表面一側對所述透明襯底進行減薄，直至裸露出所述變質層；

沿切割線對所述倒裝發(fā)光結構陣列和所述透明襯底進行裂片，得到多個倒裝發(fā)光二極管芯片，所述倒裝發(fā)光二極管芯片的出光面為粗化表面。

2.根據(jù)權利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于，所述透明襯底的生長表面為拋光面，其中，采用隱形切割技術，在所述透明襯底內、且距離所述生長表面預設距離處整面燒蝕孔洞形成變質層為：

自所述透明襯底的生長表面一側，采用隱形切割技術，在所述透明襯底內、且距離所述生長表面預設距離處整面燒蝕孔洞形成變質層。

3.根據(jù)權利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于，所述的隱形切割技術中，隱形切割所用的功率為0.2W-1W，包括端點值；

及，隱形切割所用的頻率為10KHz-50KHz，包括端點值。

4.根據(jù)權利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于，所述變質層的相鄰孔洞之間間隔為1μm-50μm，包括端點值；

及，所述變質層的任意一孔洞在垂直方向寬度為0.5μm-5μm，包括端點值。

5.根據(jù)權利要求2所述的倒裝發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于，在采用隱形切割技術形成所述變質層后，且在形成所述倒裝發(fā)光結構陣列之前，還包括：

在所述透明襯底的生長表面進行圖形化處理。

6.根據(jù)權利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于，所述預設距離的范圍為50μm-300μm，包括端點值。

7.根據(jù)權利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于，在所述生長表面一側形成倒裝發(fā)光結構陣列，包括：

在所述生長表面上沉積外延層，所述外延層包括依次疊加的第一類型半導體層、有源層和第二類型半導體層；

在所述第二類型半導體層一側刻蝕網格溝槽和多個第一電極溝槽，其中，所述網格溝槽將所述外延層分割為多個發(fā)光結構而形成發(fā)光結構陣列，且每一所述發(fā)光結構包括一所述第一電極溝槽，其中，所述發(fā)光結構劃分為第一區(qū)和第二區(qū)，所述第一電極溝槽位于所述第一區(qū)，所述網格溝槽的底面裸露所述第一類型半導體層或所述透明襯底，所述第一電極槽的底面裸露所述第一類型半導體層；

在所述第一電極溝槽處第一類型半導體層背離所述透明襯底一側形成第一電極，及在所述第二區(qū)的第二類型半導體層背離所述透明襯底一側形成第二電極，形成所述倒裝發(fā)光結構陣列。

8.根據(jù)權利要求7所述的倒裝發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于，在形成所述網格溝槽和所述第一電極溝槽后，且在形成所述第一電極和所述第二電極前，還包括：

在所述發(fā)光結構的第二類型半導體層背離所述透明襯底一側形成透明導電層。

9.根據(jù)權利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于，所述透明襯底為藍寶石襯底。

10.一種倒裝發(fā)光二極管芯片，其特征在于，采用權利要求1～9任意一項所述的倒裝發(fā)光二極管芯片的制作方法制作而成。